資料介紹
														這篇論文主要分析了用于高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)腖VDS 技術(shù)以及該技術(shù)常用的一個(gè)接口電
路-串行器。它主要包括一個(gè)LVDS 驅(qū)動(dòng)器、并串轉(zhuǎn)換器、以及產(chǎn)生多相時(shí)鐘的鎖相環(huán)電路。
本文重點(diǎn)介紹了一種能夠?qū)崿F(xiàn)高速轉(zhuǎn)換的并串轉(zhuǎn)換器,這個(gè)串行器的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換速率達(dá)到了250Mbyte/s,并且其傳輸速度達(dá)到了2Gbps。
近年來,隨著體系結(jié)構(gòu)技術(shù)和半導(dǎo)體工藝的發(fā)展,IC 芯片上的時(shí)鐘頻率提高很快,這
就對(duì)芯片、電路底版、機(jī)箱以及機(jī)柜之間的互連速度提出了更迫切的要求?,F(xiàn)代高性能微處理器的速度已經(jīng)突破了1GHz,芯片間的傳輸速率也達(dá)到幾百兆赫茲,在CMOS 電路系統(tǒng)進(jìn)行600Mbps 以上的信號(hào)傳輸已經(jīng)不可避免。但是常規(guī)的CMOS 和TTL 由于自身的電路特性和信號(hào)特點(diǎn),很難在芯片外進(jìn)行200MHz 以上的信號(hào)傳輸。因此大多數(shù)的微處理器其外部的工作頻率都降低到內(nèi)部的一半,甚至更低。這就大大限制了微處理器高速性能的發(fā)揮。所以,芯片內(nèi)外的數(shù)據(jù)傳輸速度差異已經(jīng)成為影響系統(tǒng)性能的一個(gè)瓶頸。
為了解決這個(gè)問題,提出了很多種電平形式用來代替?zhèn)鹘y(tǒng)的 TTL 和CMOS 接口電平。
其中最理想的就是LVDS(Low Voltage Differential Signaling)技術(shù)。LVDS 技術(shù)能在廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域里解決高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)钠款i問題。
												
												路-串行器。它主要包括一個(gè)LVDS 驅(qū)動(dòng)器、并串轉(zhuǎn)換器、以及產(chǎn)生多相時(shí)鐘的鎖相環(huán)電路。
本文重點(diǎn)介紹了一種能夠?qū)崿F(xiàn)高速轉(zhuǎn)換的并串轉(zhuǎn)換器,這個(gè)串行器的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換速率達(dá)到了250Mbyte/s,并且其傳輸速度達(dá)到了2Gbps。
近年來,隨著體系結(jié)構(gòu)技術(shù)和半導(dǎo)體工藝的發(fā)展,IC 芯片上的時(shí)鐘頻率提高很快,這
就對(duì)芯片、電路底版、機(jī)箱以及機(jī)柜之間的互連速度提出了更迫切的要求?,F(xiàn)代高性能微處理器的速度已經(jīng)突破了1GHz,芯片間的傳輸速率也達(dá)到幾百兆赫茲,在CMOS 電路系統(tǒng)進(jìn)行600Mbps 以上的信號(hào)傳輸已經(jīng)不可避免。但是常規(guī)的CMOS 和TTL 由于自身的電路特性和信號(hào)特點(diǎn),很難在芯片外進(jìn)行200MHz 以上的信號(hào)傳輸。因此大多數(shù)的微處理器其外部的工作頻率都降低到內(nèi)部的一半,甚至更低。這就大大限制了微處理器高速性能的發(fā)揮。所以,芯片內(nèi)外的數(shù)據(jù)傳輸速度差異已經(jīng)成為影響系統(tǒng)性能的一個(gè)瓶頸。
為了解決這個(gè)問題,提出了很多種電平形式用來代替?zhèn)鹘y(tǒng)的 TTL 和CMOS 接口電平。
其中最理想的就是LVDS(Low Voltage Differential Signaling)技術(shù)。LVDS 技術(shù)能在廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域里解決高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)钠款i問題。
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