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發(fā)視頻壓接式IGBT模塊的動(dòng)態(tài)特性測(cè)試平臺(tái)設(shè)計(jì)及雜散參數(shù)提取
2017-12-26 |
rar |
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資料介紹
壓接式IGBT模塊具有散熱性能好、雜散電感小、短路失效直通等特點(diǎn)，在柔性直流輸電等大容量電力電子變換系統(tǒng)中具有極為重要的應(yīng)用潛能。然而，目前學(xué)術(shù)界和工業(yè)界尚未很好地理解壓接式IGBT模塊的動(dòng)態(tài)開關(guān)特性，嚴(yán)重制約了其推廣應(yīng)用。從壓接式IGBT的封裝結(jié)構(gòu)和電氣特性出發(fā)，基于雙脈沖測(cè)試原理，設(shè)計(jì)并搭建壓接式IGBT模塊的動(dòng)態(tài)開關(guān)特性測(cè)試平臺(tái)。采用Ansoft Q3D軟件對(duì)測(cè)試平臺(tái)的雜散參數(shù)進(jìn)行仿真，分析雜散參數(shù)的分布特征、影響與提取方法，并通過實(shí)驗(yàn)進(jìn)行驗(yàn)證，揭示疊層母排技術(shù)與吸收電容對(duì)器件關(guān)斷電壓尖峰的抑制作用，低寄生電感總和驗(yàn)證了平臺(tái)設(shè)計(jì)方案的合理性。
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