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　　隨著半導體產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，元件尺寸已經(jīng)可以達到奈米級的水準，并且根據(jù)市場的需求，發(fā)展出不同材料以及製程技術(shù)提供使用，而利用不同的材料與製程技術(shù)所設(shè)計的元件就可以使用不同的元件模型(Device Model)來描述其電氣特性，例如直流特性(DC-IV)與高頻S 參數(shù)。元件模型是指會影響元件電氣特性的所有相關(guān)參數(shù)之集合，如圖一的BSIM4。而該相關(guān)的模型參數(shù)設(shè)定值會影響到是否可以準確的描述該元件的電氣特性。元件模型的應(yīng)用也會依照不同電路系統(tǒng)需求以及設(shè)計者的使用方式而有所不同，例如0.18um CMOS 會使用BSIM3 模型來描述，90nm CMOS 會使用BSIM4，雙載子介面電晶體(BJT)就會使用VIBC 或Mextram 或Gammel-Poon。此處我們以CMOS 的BSIM3 作說明，BSIM3 模型含括一百個以上具物理意義的參數(shù)，這些參數(shù)彼此之間也有相關(guān)聯(lián)性，因此要準確的預(yù)測這些參數(shù)必須仰賴復(fù)雜的數(shù)學方程式來描述元件的電氣特性，所以使用正確的模型化流程是相當重要的，除了模型參數(shù)的準確度之外，如何在最短的時間內(nèi)找出模型參數(shù)亦是另一挑戰(zhàn)，因此，晶圓廠(Foundry)必須要有正確的模型參數(shù)萃取流程與可允許使用者定義模型參數(shù)萃取流程的軟體，方可達到上述的兩大挑戰(zhàn)。圖二說明了元件/電路/系統(tǒng)設(shè)計概念流程，而元件模型化介于元件設(shè)計與電路或系統(tǒng)設(shè)計之間，因此元件模型化的品質(zhì)將會直接影響之后的電路或系統(tǒng)設(shè)計的品質(zhì)。