資料介紹
低功率CMOS無線射頻芯片設(shè)計(jì)方案
無線通訊市場的趨勢一直朝向低成本、低消耗功率、小體積等目標(biāo)。短距離裝置產(chǎn)品(Short-Range Devices )更在無線傳感器網(wǎng)絡(luò)(見圖一) 概念的推波助瀾下,帶動(dòng)了射頻芯片(RF IC)的需求量大增,射頻收發(fā)器 (TRX)要達(dá)到低功耗設(shè)計(jì),低電壓工作是必要條件,然而,電路的效能與工作電壓有關(guān),在兼顧到效能與低功耗之間,是一個(gè)很大的挑戰(zhàn)。近年來,RF IC 之制作技術(shù)日新月異。高速、低功率組件更是眾所矚目之焦點(diǎn),目前0.13um RF CMOS 工藝的晶體管,fT 值可達(dá)到60 GHz,這表示CMOS 晶體管有足夠的能力來處理高頻訊號(hào), 所以產(chǎn)業(yè)界的主流幾乎以RF CMOS 技術(shù),致力于低功率 RF IC 的優(yōu)化與研究。
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