資料介紹
														以界面勢壘對碳納米管(CNT)場發(fā)射的影響為研究目的,在硅襯底上引進很薄的二氧化硅層,以二氧化硅層作為絕緣勢壘,然后在二氧化硅界面層上直接生長CNT,來研究二氧化硅絕緣勢壘層對CNT場發(fā)射的影響。場發(fā)射結(jié)果為:Fowler-Nordheim(F-N)曲線分為兩部分,高電場下偏離F-N曲線并趨于飽和。在雙勢壘模型的基礎(chǔ)上,從電場在兩勢壘上的分布不同及電子在兩勢壘上的隧穿幾率不同,理論上分析了界面勢壘對場發(fā)射的影響:低電場下電子在界面勢壘的隧穿幾率大于在表面勢壘的隧穿幾率,界面勢壘對場發(fā)射不起阻礙作用,場發(fā)射遵守F-N規(guī)律;高電場下電子在界面勢壘的隧穿幾率小于在表面勢壘的隧穿幾率,場發(fā)射偏離F-N規(guī)律。理論對實驗結(jié)果進行了合理的解釋。
												
												
												
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