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德州儀器 (TI) 推出的全新驅(qū)動(dòng)器集成式氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)產(chǎn)品系列，采用低成本、緊湊型四方扁平無引線 (QFN) 封裝，具有 12mm x 12mm 的較大封裝面積。這種擴(kuò)大的 QFN 封裝不僅具有 GaN 產(chǎn)品一貫有的快速轉(zhuǎn)換 率和高開關(guān)頻率能力等顯著優(yōu)勢(shì)，還可通過較大的裸露散熱焊盤提高其熱性能，從而使功率耗散能力優(yōu)于其他常 用的表面貼裝封裝（如廣泛用于分立式功率器件的 TO 無引線和 D2PAK）。利用適當(dāng)?shù)臒嵩O(shè)計(jì)，TI 采用 QFN 12x12 封裝的全新 LMG342x GaN 功率級(jí)產(chǎn)品可以完全滿足高功率 (> 3kW) 轉(zhuǎn)換應(yīng)用的需要。
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