資料介紹
THB6128芯片也稱為步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片,采用BiCDMOS工藝,IC管腳間距為1mm的小型MFP30KR封裝而成。
THB6128步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片特性 1、雙全橋MOSFET驅(qū)動(dòng),低導(dǎo)通電阻Ron=0.55Ω。 2、最高耐壓36VDC,峰值電流2.2A,工作電流1.5A。 3、多種細(xì)分可選(1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32、1/64、1/128)。 4、自動(dòng)半流鎖定功能。 5、快衰、慢衰、混合式衰減三種衰減方式可選。 6、內(nèi)置溫度保護(hù)及過流保護(hù)。
THB6128步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片特性 1、雙全橋MOSFET驅(qū)動(dòng),低導(dǎo)通電阻Ron=0.55Ω。 2、最高耐壓36VDC,峰值電流2.2A,工作電流1.5A。 3、多種細(xì)分可選(1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32、1/64、1/128)。 4、自動(dòng)半流鎖定功能。 5、快衰、慢衰、混合式衰減三種衰減方式可選。 6、內(nèi)置溫度保護(hù)及過流保護(hù)。
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