最后，我們來到了這個試圖破解功率 MOSFET 數(shù)據(jù)表的“看懂 MOSFET 數(shù)據(jù)表”博客系列的收尾部分。在這個博客中，我們將花時間看一看 MOSFET 數(shù)據(jù)表中出現(xiàn)的某些其它混合開關參數(shù)，并且檢查它們對于總體器件性能的相關性（或者與器件性能沒什么關系）。另一方面，諸如 FET 固有體二極管的輸出電荷 （QOSS） 和反向恢復電荷（Qrr） 等開關參數(shù)是造成很多高頻電源應用中大部分 FET 開關損耗的關鍵因素。不好意思，我說的這些聽起來有點兒前言不搭后語，不過設計人員在根據(jù)這些參數(shù)比較不同的 FET 時要小心，這是因為測試條件決定一切，事情往往是如此！圖 1 顯示的是，在 TI CSD18531Q5A 60V MOSFET 的兩個不同 di/dt 速率上測得的輸出電荷和反向恢復電荷，這代表了一個事物的兩個方面。在左側，Qrr 在 360A/μs 時測得的值為 85nC，在右邊，2000A/μs 時測得的值為 146nC。雖然沒有測量部件的 di/dt 行業(yè)標準，但我們已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，為了得到極地的 Qrr，我們的競爭對手將測量時的 di/dt 速率調(diào)低至 100 A/us。

　　Qrr 甚至可以對測試執(zhí)行性的二極管正向電流 （If） 具有更強的依賴關系。而進一步使事情復雜化的原因在于，某些廠商未將 QOSS 作為一個單獨參數(shù)包含在內(nèi)，而是只將這個參數(shù)吸收到 Qrr 的技術規(guī)格當中。除了數(shù)據(jù)表中列出的測試條件，事實上，其它諸如電路板寄生電感和主觀測量方法等考慮也使得比較單獨廠商數(shù)據(jù)表中的這些參數(shù)變得不太可能。這并不是說這些參數(shù)對于設計不重要，而是為了說明，要獲得可靠的比較數(shù)據(jù)，唯一有效的解決方案就是使用通常的方法和電路板對這些數(shù)據(jù)進行獨立采集。我在這個系列中將要提到的最后一個參數(shù)就是開關時間。這 4 個參數(shù)通常由下方圖 2 中的波形定義，并且會出現(xiàn)在每個廠商的數(shù)據(jù)表中。它們是如此地依賴于電路板和測試條件，以至于 FET 行業(yè)的一位元老級人物（也是個人導師）經(jīng)常把這些參數(shù)引用為“FET 數(shù)據(jù)表中最沒用的參數(shù)”。本來是為了指示出開關速度，而實際上，由于這些參數(shù)是 FET 特性值，所以它們至多只反映出驅(qū)動器強度和漏電流。TI 在器件的額定電流上進行測試時將這些參數(shù)包含在內(nèi)，而其它廠商只在 1A ID 上測試這些參數(shù)，其目的在于使它們的器件看起來具有更快的開關速度。更能說明器件實際開關速度的是器件的柵極電荷參數(shù)和內(nèi)部柵極電阻，Rg，這兩個參數(shù)幾乎不受這些技術指針差距 （specmanship） “游戲”的影響。