資料介紹
磁屏蔽磁場(chǎng)的分析是實(shí)現(xiàn)高精度電流比較儀優(yōu)化設(shè)計(jì)的關(guān)鍵,然而磁屏蔽氣隙結(jié)構(gòu)復(fù)雜,有限元法計(jì)算量大、計(jì)算精度難以滿足要求??紤]磁屏蔽分層結(jié)構(gòu)以及一次電流偏心和外部磁場(chǎng)干擾對(duì)磁場(chǎng)分布的影響,提出一個(gè)二維簡(jiǎn)化模型,利用極坐標(biāo)系下Poisson方程解的正交函數(shù)展開式推導(dǎo)磁場(chǎng)的解析解,并利用有限元法驗(yàn)證解析解的正確性。通過(guò)二維解析模型與三維實(shí)際問(wèn)題有限元計(jì)算結(jié)果的對(duì)比,發(fā)現(xiàn)兩者具有簡(jiǎn)單的比例關(guān)系,且該比例關(guān)系不依賴于干擾源的位置,因此可用二維解析模型對(duì)三維實(shí)際磁屏蔽結(jié)構(gòu)做出快速有效的評(píng)估。對(duì)坡莫合金的B-H曲線進(jìn)行擬合,以線性近似下的磁場(chǎng)解析解為基礎(chǔ),利用安匝平衡時(shí)檢測(cè)線圈的感應(yīng)電壓導(dǎo)出電流檢測(cè)的誤差估算公式,作為磁屏蔽效能分析的定量指標(biāo)。對(duì)不同磁屏蔽結(jié)構(gòu)的分析表明,雙層結(jié)構(gòu)比同樣尺寸單層結(jié)構(gòu)的屏蔽效能可提高近三個(gè)數(shù)量級(jí)。最后通過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了解析表達(dá)式分析實(shí)際問(wèn)題的有效性。

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