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本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關(guān)過程;然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關(guān)過程的方法：基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開關(guān)過程，并詳細(xì)闡述了其開關(guān)過程。開關(guān)過程中，功率MOSFET動(dòng)態(tài)的經(jīng)過是關(guān)斷區(qū)、恒流區(qū)和可變電阻區(qū)的過程。在跨越恒流區(qū)時(shí)，功率MOSFET漏極的電流和柵極電壓以跨導(dǎo)為正比例系列，線性增加。米勒平臺(tái)區(qū)對(duì)應(yīng)著最大的負(fù)載電流?？勺冸娮鑵^(qū)功率MOSFET漏極減小到額定的值。
MOSFET的柵極電荷特性與開關(guān)過程盡管MOSFET在開關(guān)電源、電機(jī)控制等一些電子系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用，但是許多電子工程師并沒有十分清楚的理解MOSFET開關(guān)過程，以及MOSFET在開關(guān)過程中所處的狀態(tài)。一般來說，電子工程師通常基于柵極電荷理解MOSFET的開通的過程，如圖1所示。此圖在MOSFET數(shù)據(jù)表中可以查到。
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