為實(shí)現(xiàn)高壓開(kāi)關(guān),功率MOSFET應(yīng)如何串聯(lián)連接
														
														2010-05-25 |
														
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											資料介紹
														因?yàn)楣β?a href='http://qiaming.cn/tags/mosfet/' target='_blank'  class='arckwlink_none'>MOSFET的導(dǎo)通電阻和耐壓有以下的關(guān)系,即Rds(on)∞BVds2.4~2.7所在總芯片面積相等的情況下,如把幾個(gè)低壓MOSFET串聯(lián)連接,比1個(gè)高耐壓MOSFET的導(dǎo)通電阻低。
												
												
												
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