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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>顯示及光電>氧化鋅納米線陣列LED研究

      氧化鋅納米線陣列LED研究

      2017-10-26 | rar | 0.3 MB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      　　氧化鋅（ZnO）是一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體，具有激子束縛能高（60 meV）、原料豐富廉價(jià)等優(yōu)點(diǎn)，可以實(shí)現(xiàn)室溫下的高效的激子受激發(fā)而成為新一代的半導(dǎo)體發(fā)光材料。 通過(guò)合金化摻雜的能帶工程研究， 對(duì)設(shè)計(jì)和制造高效ZnO光電器件具有非常重要的意義，如ZnMgO和ZnCdO可以分別實(shí)現(xiàn)ZnO薄膜能帶寬度的增加和縮小。但是由于晶體結(jié)構(gòu)和原子大小的差異，在摻雜濃度較高時(shí)容易出現(xiàn)晶格失配缺陷和合金相分離現(xiàn)象，限制了能帶調(diào)節(jié)幅度。一維納米材料的小尺寸可以釋放半導(dǎo)體合金的晶格應(yīng)力，得到較高的合金濃度和良好晶體質(zhì)量，實(shí)現(xiàn)更大幅度的能帶調(diào)節(jié)，給ZnO能帶工程帶來(lái)新的機(jī)遇。

      　　氧化鋅納米線陣列LED研究

      　　GaxZn1-xO納米線陣列的SEM圖，（a-f）對(duì)應(yīng)于鎵摻雜濃度逐漸增加（0《x《0.66）

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