**VBsemi SIR416DP-T1-GE3-VB 產(chǎn)品詳細參數(shù)說明：**

- **絲印標識：** VBQA1402
- **品牌：** VBsemi
- **封裝：** DFN8(5X6)
- **通道類型：** N—Channel溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）：** 40V
- **漏極-源極電流（ID）：** 123A
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：** 2mΩ @ VGS=10V, 2mΩ @ VGS=20V
- **閾值電壓（Vth）：** 1~3V

**應(yīng)用簡介：**

VBsemi SIR416DP-T1-GE3-VB 是一款DFN8(5X6)封裝的N—Channel溝道場效應(yīng)晶體管（MOSFET），適用于高功率開關(guān)電源和電機驅(qū)動應(yīng)用。

**主要應(yīng)用領(lǐng)域和模塊：**

1. **電源開關(guān)模塊：** 適用于直流-直流（DC-DC）變換器、電源開關(guān)控制等。
 
2. **電機驅(qū)動模塊：** 可用于高功率電機驅(qū)動，提供高電流和低導(dǎo)通電阻的特性。

**作用：**

- 提供高電流和低導(dǎo)通電阻的功率開關(guān)控制。
- 用于高功率電機驅(qū)動模塊，支持高效率和高性能。

**使用注意事項：**

1. **電壓等級：** 在規(guī)定的電壓范圍內(nèi)使用，不要超過產(chǎn)品標稱的最大漏極-源極電壓。
 
2. **電流負載：** 注意電流負載不要超過產(chǎn)品的額定電流。
 
3. **工作溫度：** 在規(guī)定的工作溫度范圍內(nèi)使用，避免超溫操作。

以上信息僅為參考，實際使用時請仔細閱讀產(chǎn)品手冊和規(guī)格書，確保正確使用，并遵循廠商的建議和注意事項。