型號簡介
Sumitomo的GaN HEMT EGN26C160I2D提供高效率、易于匹配、更大的一致性以及寬帶寬，適用于50V操作的高功率放大器，并提供你的收益更高。此新產(chǎn)品非常適合在2.3GHz至2.7GHz范圍內(nèi)使用LTE設(shè)計要求，因為它提供了高增益、長期可靠性和易于使用。
型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Eudyna
型號 EGN26C160I2D
名稱 用于基站的功率GaN＞GaN HEMT
產(chǎn)地 日本
封裝 SMT
型號參數(shù)
高壓操作：VDS=50V
高功率：52.5dBm（典型值）@Psat
高效率：65%（典型值）@Psat
功率增益：16dB（典型值）@f=2.6GHz
經(jīng)驗證的可靠性
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