--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
- 型號 FHX35LP
- 名稱 砷化鎵HEMT
- 產(chǎn)地 日本
- 封裝 SMT
--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的FHX35LP是一種高電子遷移率晶體管(HEMT),適用于2-18GHz頻率范圍內(nèi)的通用、低噪聲和高增益放大器。該設(shè)備封裝在經(jīng)濟高效、低寄生、密封(LG)或環(huán)氧樹脂密封(LP)的金屬陶瓷封裝中,用于大容量電信、DBS、TVRO、VSAT或其他低噪聲應(yīng)用。住友電機嚴格的質(zhì)量保證計劃確保了最高的可靠性和一致的性能。
型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 FHX35LP
名稱 砷化鎵HEMT
產(chǎn)地 日本
封裝 SMT
型號參數(shù)
低噪聲系數(shù):1.2B(典型值)@f=12GHz
高相關(guān)增益:10.0dB(典型值)@f=12GHz
Lg≤0.25μm,Wg=280μm
實現(xiàn)高可靠性的金門金屬化
具有成本效益的陶瓷微帶(SMT)封裝
提供帶卷包裝
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FHX35LPT
FLM6472-8F
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