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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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FHX35LP 超低噪聲 HEMT

型號: FHX35LP

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號 FHX35LP
  • 名稱 砷化鎵HEMT
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 SMT

--- 產(chǎn)品詳情 ---

FHX35LP

型號簡介
Sumitomo的FHX35LP是一種高電子遷移率晶體管(HEMT),適用于2-18GHz頻率范圍內(nèi)的通用、低噪聲和高增益放大器。該設(shè)備封裝在經(jīng)濟高效、低寄生、密封(LG)或環(huán)氧樹脂密封(LP)的金屬陶瓷封裝中,用于大容量電信、DBS、TVRO、VSAT或其他低噪聲應(yīng)用。住友電機嚴格的質(zhì)量保證計劃確保了最高的可靠性和一致的性能。


型號規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號                    FHX35LP 
名稱                    砷化鎵HEMT
產(chǎn)地                    日本
封裝                    SMT


型號參數(shù)
低噪聲系數(shù):1.2B(典型值)@f=12GHz
高相關(guān)增益:10.0dB(典型值)@f=12GHz
Lg≤0.25μm,Wg=280μm
實現(xiàn)高可靠性的金門金屬化
具有成本效益的陶瓷微帶(SMT)封裝
提供帶卷包裝


相關(guān)型號
FHX35LPT 
FLM6472-8F
FHX35LP 
FLM6472-25F
FLM6472-18F
FLM6472-12F
FLM5972-8F
FLM1213-8F
FLM1213-6F
FLM1314-6F
FLM1213-4F
FLM1213-12F
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FLM1011-6F
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