SGN2933-600D-R 雷達用高壓大功率GaN HEMT

GaN HEMT

型號： SGN2933-600D-R

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

廠家 Sumitomo Electric Device Innov
型號 SGN2933-600D-R
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 M1B

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的GaN HEMT SGN2933-600D-R提供高功率、高S波段覆蓋2.9至3.3GHz的效率和更大的一致性50V工作和高達脈沖條件的雷達應用300μsec的脈沖寬度和高達10%的占空比。

型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 SGN2933-600D-R
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 M1B

型號參數(shù)
高壓操作：VDS=50V
高功率：700W（典型值）@引腳=31.6W（45dBm）
高效率：50%（典型值）@引腳=31.6W（45dBm）
寬帶：2.9至3.3GHz
50歐姆配對

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