SGK5872-20C C波段內(nèi)部匹配 GaN HEMT

C波段 GaN HEMT

型號： SGK5872-20C

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

廠家 Sumitomo Electric Device Innov
型號 SGK5872-20C
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 IBK

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的ES/SG5872-20C是一種高功率GaN HEMT與標(biāo)準(zhǔn)通信頻帶匹配，以提供最佳功率和線性。

型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 SGK5872-20C
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 IBK

型號參數(shù)
高輸出功率：P5dB=43.0dBm（典型值）
高增益：GL=14.0至15.0dB（典型值）
高功率附加效率：PAE=41%（典型值）
寬帶：頻率=5.85至7.2GHz
內(nèi)部匹配
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SGK5872-20C

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