SGN2731-500L-R 雷達用高壓大功率GaN HEMT

GaN HEMT

型號： SGN2731-500L-R

--- 產品參數(shù) ---

廠家 Sumitomo Electric Device Innov
型號 SGN2731-500L-R
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
產地日本
封裝 IV

--- 產品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的GaN HEMT SGN2731-500L-R為s波段雷達應用提供了高功率、高效率和更大的一致性，具有50V操作和高達120μsec脈沖寬度的脈沖條件，占空比高達10%。

型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 SGN2731-500L-R
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
產地日本
封裝 IV

型號參數(shù)
高功率：550W（典型）@引腳=31.6W（45dBm）
高效率：57%（典型值）@引腳=31.6W（45dBm）
寬帶：2.7至3.1GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50Ω

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