--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
- 型號 SGC9395-130B-R
- 名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管
- 產(chǎn)地 日本
- 封裝 IK
--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的SGC9395-130B-R是一種高功率GaN HEMT與X波段雷達(dá)波段匹配,以提供最佳功率和增益在50歐姆的系統(tǒng)中。
型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 SGC9395-130B-R
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管
產(chǎn)地 日本
封裝 IK
型號參數(shù)
高輸出功率:Psat=52.0dBm(典型值)
高增益:Gp=10.0dB(典型值)
高功率附加效率:PAE=39%(典型值)
頻帶:9.3至9.5GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50歐姆
密封包裝
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