FLU10ZM L波段中高功率GaAs FET

FET GaAs L波段

型號： FLU10ZM

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

廠家 Sumitomo Electric Device Innov
型號 FLU10ZM
名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管
產(chǎn)地日本
封裝 XP

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的FLU10ZM是為基站和CPE設(shè)計的GaAs FET應(yīng)用程序。這是一個使用塑料表面安裝的新產(chǎn)品系列已針對高容量成本驅(qū)動的應(yīng)用程序進行了優(yōu)化的軟件包。富士通嚴格的質(zhì)量保證計劃確保可靠性和一致的性能。

型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 FLU10ZM
名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管
產(chǎn)地日本
封裝 XP

型號參數(shù)
高輸出功率：P1dB=29.5dBm（典型值）
高增益：G1dB=13.0dB（典型值）
低成本塑料（SMT）封裝
提供磁帶和卷軸

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