--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
- 型號 FHX35X
- 名稱 砷化鎵HEMT
- 產(chǎn)地 日本
- 封裝 Chip
--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的FHX35X是一種高電子遷移率晶體管(HEMT)用于一般用途,在2到18GHz頻率范圍。此設備非常適合電信、DBS、TVRO、VSAT或其他低噪聲應用程序。
型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 FHX35X
名稱 砷化鎵HEMT
產(chǎn)地 日本
封裝 Chip
型號參數(shù)
低噪聲系數(shù):1.2dB(典型值)@f=12GHz
高相關增益:10.0dB(典型值)@f=12GHz
Lg≤0.25um,Wg=280um
實現(xiàn)高可靠性的金門金屬化
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