產(chǎn)品簡介
DIODES 的DGD0597FUQ這是一款高頻高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器，能夠驅(qū)動半橋配置中的 N 溝道 MOSFET。浮動高側(cè)驅(qū)動器的額定電壓高達(dá) 40V，并為 MOSFET 提供 5V 柵極驅(qū)動。
DGD0597FUQ 邏輯輸入與標(biāo)準(zhǔn) TTL 和 CMOS 電平（低至 3.3V）兼容，可輕松與 MCU 連接。UVLO 將在斷電時保護(hù) IC 和 MOSFET。
快速且匹配良好的傳播延遲可實現(xiàn)更高的開關(guān)頻率，從而使用更小的相關(guān)組件實現(xiàn)更小、更緊湊的電源開關(guān)設(shè)計。DGD0597FUQ 采用 V-QFN3030-8 封裝，工作溫度范圍為 -40°C 至 +125°C。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DGD0597FUQ
名稱 高頻高側(cè) 低側(cè)柵極 驅(qū)動器
產(chǎn)地 臺灣
封裝 V-QFN3030-8
產(chǎn)品參數(shù)
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Offset Voltage Max (V) 40 V
Inputs HIN, LIN
Output Current IO+ (Typ) (mA) 1500 mA
Output Current IO- (Typ) (mA) 2500 mA
tON (Typ) (ns) 14 ns
tOFF (Typ) (ns) 14 ns
tR (Typ) (ns) 7 ns
tF (Typ) (ns) 5 ns
主要特征
40V 浮動高側(cè)驅(qū)動器
低VCC工作電壓：4.5V至5.5V
以半橋配置驅(qū)動兩個 N 溝道邏輯電平 MOSFET
5A 拉電流/2.5A 灌電流輸出能力
包含內(nèi)部自舉二極管
4V UVLO，具有 0.4V 遲滯
快速上升和下降時間 (7ns/5ns)
傳播延遲典型值為 14ns
延遲匹配典型值為 2.5ns
擴(kuò)展溫度范圍：-40°C 至 +125°C
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