ADR42x系列為超精密、第二代外加離子注入場(chǎng)效應(yīng)管(XFET)基準(zhǔn)電壓源，具有低噪聲、高精度和出色的長(zhǎng)期穩(wěn)定特性，采用SOIC和MSOP封裝。
利用溫度漂移曲率校正專(zhuān)利技術(shù)和XFET技術(shù)，可以使電壓隨溫度變化的非線(xiàn)性度降至低點(diǎn)。XFET架構(gòu)能夠?yàn)閹痘鶞?zhǔn)電壓源提供出色的精度和熱滯性能。與嵌入式齊納二極管基準(zhǔn)電壓源相比，還能以更低的功耗和更小的電源裕量工作。
ADR42x具有出色的噪聲性能、穩(wěn)定性和精度，適合光纖網(wǎng)絡(luò)和醫(yī)療設(shè)備等精密轉(zhuǎn)換應(yīng)用。此外還可利用其調(diào)整引腳，在±0.5%范圍內(nèi)調(diào)整輸出電壓，其它性能則不受影響。ADR42x系列分為兩種電氣等級(jí)，額定溫度范圍為?40°C至+125°C擴(kuò)展工業(yè)溫度范圍，提供8引腳SOIC封裝或8引腳MSOP封裝（后者比前者小30%）。
應(yīng)用
- 精密數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)
- 高分辨率轉(zhuǎn)換器
- 電池供電儀器儀表
- 便攜式醫(yī)療儀器
- 工業(yè)過(guò)程控制系統(tǒng)
- 精密儀器
- 光纖網(wǎng)絡(luò)控制電路
- 低噪聲（0.1 Hz至10 Hz）
- ADR420: 1.75 μV 峰峰值
ADR421: 1.75 μV 峰峰值
ADR423: 2.0 μV峰峰值
ADR425: 3.4 μV峰峰值 - 低溫度系數(shù)：3 ppm/°C
- 長(zhǎng)期穩(wěn)定性：50 ppm/1000小時(shí)
- 負(fù)載調(diào)整率：70 ppm/mA
- 電壓調(diào)整率：35 ppm/V
- 低遲滯：40 ppm（典型值）
- 寬工作電壓范圍
ADR420: 4 V至18 V
ADR421: 4.5 V 至 18 V
ADR423: 5 V 至 18 V
ADR425: 7 V 至18 V - 靜態(tài)電流：0.5 mA（最大值）
- 高輸出電流：10 mA
- 寬溫度范圍：?40°C至+125°C
MAX6034A-4.1
MAX6034B-2.1
MAX6034B-2.5
MAX6034B-3
MAX6034B-4.1
MAX6107
ADR01
ADR02
ADR423
ADR425
MAX6018A-1.2
MAX6018A-1.6
MAX6018A-1.8
MAX6018A-2.1
MAX6018B-1.2
MAX6018B-1.6
MAX6018B-1.8
MAX6018B-2.1
MAX6023
