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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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ZXTP2008ZQ PNP 低飽和 中功率 晶體管

型號: ZXTP2008ZQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 ZXTP2008ZQ
  • 名稱 PNP低飽和中功率晶體管
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SMD/DIP

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXTP2008ZQ 

 產(chǎn)品簡介
DIODES 的 ZXTP2008ZQ(PNP、30V、5.5A、SOT89)這種雙極結(jié)型晶體管(BJT)設(shè)計用于滿足汽車應(yīng)用的要求。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌       DIODES
型號      ZXTP2008ZQ
名稱      PNP低飽和中功率晶體管
產(chǎn)地       臺灣
封裝       SMD/DIP

 

主要特征
bvco>-30伏
IC=-5.5A連續(xù)集電極電流
ICM=-20A峰值脈沖電流
低飽和電壓VCE(SAT)<-60mV最大值@-1A
RSAT=24m? @ -5.5A用于低等效導(dǎo)通電阻
低至-10mA的卓越增益線性
高增益保持規(guī)定的高達-20A的hFE
完全無鉛且完全符合RoHS(注1和2)
不含鹵素和銻。“綠色”裝置(注3)
符合AEC-Q101高可靠性標(biāo)準(zhǔn)
PPAP功能(注4)

 

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