產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 UJ3C065030B3 650 V、27 mohm RDS(on) SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝，以生產(chǎn)當今市場上唯一的標準柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 D2PAK-3L 封裝，具有超低柵極電荷，而且具有同類額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合開關(guān)電感負載，以及任何需要標準柵極驅(qū)動的應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
VDS 最大值(V) 650
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) 27
內(nèi)徑最大值(A) 65
一代 第 3 代
Tj 最大值(°C) 175
汽車資質(zhì) 是的
包裝類型 D2PAK-3L
主要特征
導通電阻 (RDS(on))：27 mohm（典型值）
最高工作溫度：175 °C
優(yōu)秀的反向恢復
低柵極電荷
低本征電容
ESD 保護，HBM 2 級
相關(guān)型號
UJ3C065030B3
UJ3C065030K3S
UJ3C065030T3S
UJ3C065080B3
UJ3C065080K3S
UJ3C065080T3S
UJ3C120040K3S
UJ3C120070K3S
UJ3C120080K3S
UJ3C120150K3S
UJ4C075018K3S
UJ4C075018K4S
UJ4C075023B7S
UJ4C075023K3S
UJ4C075023K4S
UJ4C075033B7S
