--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- VDS 最大值(V) 1,200
 - RDS(on) 16
 - 內(nèi)徑最大值(A) 107
 - 一代 第 3 代
 - Tj 最大值(°C) 175
 - 汽車資質(zhì) 是的
 - 包裝類型 TO-247-4L
 
--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
Qorvo 的 UF3SC120016K4S 1200 V、16 mohm SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置,其中常開(kāi) SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動(dòng)器,因此在更換 Si IGBT、Si 超級(jí)結(jié)器件或 SiC MOSFET 時(shí)需要最少的重新設(shè)計(jì)。該器件采用 TO-247-4L 封裝,具有超低柵極電荷和出色的反向恢復(fù)特性,與推薦的 RC 緩沖器一起使用時(shí)非常適合開(kāi)關(guān)電感負(fù)載,以及任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
VDS 最大值(V) 1,200
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) 16
內(nèi)徑最大值(A) 107
一代 第 3 代
Tj 最大值(°C) 175
汽車資質(zhì) 是的
包裝類型 TO-247-4L
主要特征
導(dǎo)通電阻 (RDS(on)):16 mohm(典型值)
最高工作溫度:175 °C
優(yōu)秀的反向恢復(fù)
低柵極電荷
低本征電容
ESD 保護(hù),HBM 等級(jí) 5
相關(guān)型號(hào)
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