--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 最低頻率(MHz) 直流電
 - 最大頻率(MHz) 18,000
 - 增益(分貝) 18
 - 飽和度(dBm) 43
 - PAE (%) 78.3
 - 電壓(伏) 12 至 32
 - Idq (毫安) 100 到 500
 
--- 產(chǎn)品詳情 ---

 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
Qorvo 的 TGF2023-2-05 是一款分立式 5.0 mm GaN on SiC HEMT,工作頻率范圍為 DC 至 18 GHz。
TGF2023-2-05 通常提供 43 dBm 的飽和輸出功率,在 3 GHz 時(shí)具有 18 dB 的功率增益。最大功率附加效率為 78.3%,這使得 TGF2023-2-05 適合高效應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 18,000
增益(分貝) 18
飽和度(dBm) 43
PAE (%) 78.3
電壓(伏) 12 至 32
Idq (毫安) 100 到 500
主要特征
頻率范圍:直流至 18 GHz
3 GHz 時(shí)標(biāo)稱 Psat 為 43 dBm
78.3% 最大 PAE
18 dB 標(biāo)稱功率增益
偏置:V D = 12 至 32 V,I DQ = 100-500 mA
芯片尺寸:0.82 x 1.44 x 0.10 毫米
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