產品簡介
Qorvo 的 QPD1013 是一款 150 W (P3dB) 分立式 GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為 DC 至 2.7 GHz。這是一款采用包覆成型塑料封裝的單級無與倫比的功率放大器晶體管。QPD1013 的高功率和寬帶寬使其適用于從直流到 2.7 GHz 的許多不同應用。
該器件采用行業(yè)標準的 7.2 x 6.6 mm 表面貼裝 DFN 封裝。
產品規(guī)格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 2,700
增益（分貝） 21.8
PAE （%） 64.8
電壓（伏） 65
Idq （毫安） 240
包裝類型 DFN
包裝（毫米） 7.2×6.6
主要特征
頻率范圍：DC - 2.7 GHz
輸出功率 (P3dB)：1.8 GHz 時為 178 W
線性增益：1.8 GHz 時典型值為 21.8 dB
典型 PAE3dB：1.8 GHz 時為 64.8%
工作電壓：65V
低熱阻封裝
CW 和脈沖能力
7.2 x 6.6 毫米封裝
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