--- 產(chǎn)品詳情 ---
增強型產(chǎn)品完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存儲器電源解決方案同步降壓控制器 
     
        | DDR memory type | DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, LPDDR2, LPDDR3 | 
| Control mode | D-CAP, S4/S5 | 
| Iout VDDQ (Max) (A) | 20 | 
| Iout VTT (Max) (A) | 2 | 
| Iq (Typ) (mA) | 0.6 | 
| Output | VDDQ, VREF, VTT | 
| Vin (Min) (V) | 3 | 
| Vin (Max) (V) | 28 | 
| Features | Shutdown Pin for S3 | 
| Rating | HiRel Enhanced Product | 
- 同步降壓控制器 (VDDQ) 
- 轉換電壓范圍:3 至 28 V
 - 輸出電壓范圍:0.7 至 1.8 V
 - 0.8% VREF 精度
 - D-CAP? 模式,可實現(xiàn)快速瞬態(tài)響應
 - 可選 300kHz/400kHz 開關頻率
 - 自動跳過功能優(yōu)化了輕負載和重負載時的效率
 - 支持 S4/S5 狀態(tài)下的軟關閉
 - OCL/OVP/UVP/UVLO 保護
 - 電源正常輸出
 
 - 2A LDO (VTT)、緩沖基準 (VTTREF) 
- 2A(峰值)灌電流和拉電流
 - 只需 10μF 陶瓷輸出電容
 - 經(jīng)緩沖的低噪聲 10mA VTTREF 輸出
 - 0.8% VTTREF,20mV VTT 精度
 - 在 S3 下支持高阻抗,在 S4/S5 下支持軟關閉
 
 - 熱關斷
 - 20 引腳 3mm × 3mm WQFN 封裝
 -  支持國防、航天和醫(yī)療應用 
- 受控基線
 - 一個組裝/測試基地
 - 一個制造基地
 - 支持軍用(-55°C 至 125°C)溫度范圍,(1)
 - 延長了產(chǎn)品生命周期
 - 延長了產(chǎn)品變更通知
 - 產(chǎn)品可追溯性
 
 
(1)提供額外的溫度范圍 - 請聯(lián)系工廠
TPS51216-EP 以最少總成本和最小空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存儲器系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓器控制器 (VDDQ) 與 2A 灌電流/拉電流跟蹤 LDO (VTT) 和緩沖低噪聲基準 (VTTREF) 相集成。TPS51216-EP 采用 D-CAP? 模式與 300kHz/400kHz 頻率相結合,以實現(xiàn)易用性和快速瞬態(tài)響應。VTTREF 跟蹤 VDDQ/2 的精度優(yōu)于 0.8%。能夠提供 2A 灌電流/拉電流峰值電流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷電容器。此外,還提供專用的 LDO 電源輸入。
TPS51216-EP 提供豐富、實用的功能以及出色的電源性能。它支持靈活功率級控制,將 VTT 置于高阻抗狀態(tài)(處于 S3)并在 S4/S5 狀態(tài)下對 VDDQ、VTT 和 VTTREF 進行放電(軟關閉)。
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