灌電流和拉電流 DDR 終端穩(wěn)壓器
| DDR memory type | DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3 |
| Control mode | D-CAP, S3, S4/S5 |
| Iout VTT (Max) (A) | 3 |
| Iq (Typ) (mA) | 0.5 |
| Output | VREF, VTT |
| Vin (Min) (V) | 1.1 |
| Vin (Max) (V) | 3.5 |
| Features | S3/S5 Support |
| Rating | Automotive |
- 符合面向汽車應(yīng)用的 AEC-Q100 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)：
- 器件溫度等級 1：
–40°C ≤ TA ≤ 125°C - 器件 HBM ESD 分類等級 2
- 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
- 器件溫度等級 1：
- 擴展的可靠性測試
- 輸入電壓：支持 2.5V 和 3.3V 電源軌
- VLDOIN 電壓范圍：1.1V 至 3.5V
- 具有壓降補償功能的灌電流和拉電流終端穩(wěn)壓器
- 所需最小輸出電容為 20μF（通常為 3 × 10μF MLCC），用于存儲器終端 應(yīng)用 (DDR)
- 用于監(jiān)視輸出穩(wěn)壓的 PGOOD
- EN 輸入
- REFIN 輸入允許直接或通過電阻分壓器靈活進(jìn)行輸入跟蹤
- 遠(yuǎn)程檢測 (VOSNS)
- ±10mA 緩沖基準(zhǔn) (REFOUT)
- 內(nèi)置軟啟動、UVLO 和 OCL
- 熱關(guān)斷
- 符合 DDR、DDR2 JEDEC 規(guī)范；支持 DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 應(yīng)用
- 帶外露散熱焊盤的 VSON-10 封裝
TPS51200A-Q1 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器，專門針對低輸入電壓、低成本、低噪聲的空間受限型系統(tǒng)而設(shè)計。
此器件可保持快速的瞬態(tài)響應(yīng)，最低僅需 20μF 輸出電容。此器件支持遙感功能，并且可滿足 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端的所有電源要求。
此外，該器件還提供一個開漏 PGOOD 信號來監(jiān)測輸出穩(wěn)壓，并提供一個 EN 信號在 S3（掛起至 RAM）期間針對 DDR 應(yīng)用進(jìn)行 VTT 放電。
此器件采用高效散熱型 VSON-10 封裝，具有綠色環(huán)保和無鉛的特性。該器件的額定溫度范圍為 –40°C 至 125°C。
