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深圳市聚成恒信電子科技有限公司

致力于全面服務射頻微波,毫米微波客戶,將射頻微波,毫米微波原材料聚成恒信電子秉承長期合作拉近原廠與終端用戶的距離為促進三方共贏的良性合作關(guān)系

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TGF3021-SM 是一種 GaN on SiC HEMT 晶體管

型號: TGF3021-SM

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 頻率 30 MHz 至 4 GHz
  • 力量 44.77 分貝
  • 功率(W) 29.99 瓦
  • 飽和功率 45分貝
  • 脈沖寬度 100 我們

--- 產(chǎn)品詳情 ---

Triquint 的 TGF3021-SM 是一種 GaN on SiC HEMT 晶體管,工作頻率為 30 MHz 至 4 GHz。它提供高達 30 W 的功率,增益為 19.3 dB,效率為 72.7 %。HEMT 功率晶體管需要 32 V 電源才能運行,并消耗 65 mA 的電流。它采用行業(yè)標準的 3 x 4 mm 表面貼裝 QFN 封裝。它可用于軍用雷達、民用雷達、干擾器、陸地移動無線電通信、寬帶和窄帶放大器以及測試儀器應用。

產(chǎn)品規(guī)格

產(chǎn)品詳情

零件號                   TGF3021-SM

制造商                  科爾沃

描述                     從 30 MHz 到 4 GHz 的 30 瓦 GaN HEMT

一般參數(shù)

晶體管類型          HEMT

技術(shù)                    碳化硅上氮化鎵、氮化鎵

應用行業(yè)             無線基礎設施、雷達、航空航天與國防、測試與測量

應用                   軍事、通信、干擾器、測試儀器

連續(xù)波/脈沖       脈沖,連續(xù)波

頻率                  30 MHz 至 4 GHz

力量                  44.77 分貝

功率(W)           29.99 瓦

飽和功率         45分貝

脈沖寬度        100 我們

占空比            0.2

獲得               19分貝

電源電壓        32 伏

電壓 - 柵源 (Vgs)  -2.7 伏

靜態(tài)漏極電流   65毫安

包裝類型         表面貼裝

包裹               4 x 3 毫米

RoHS            是的

 

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