Qorvo 的 QPD1017 是一款內(nèi)部匹配的分立式 GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為 3.1 至 3.5 GHz。它提供 56.6 dBm (457 W) 的飽和輸出功率，增益為 16.5 dB，PAE 為 60%。該晶體管需要 50 V 的電源電壓并消耗高達(dá) 750 mA 的電流。它是完全匹配 50 歐姆的 GaN IMFET，采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)氣腔封裝，非常適合軍用雷達(dá)、民用雷達(dá)和測試儀器。

產(chǎn)品規(guī)格

產(chǎn)品詳情

零件號                QPD1017

制造商                科爾沃

描述                   3.1 至 3.5 GHz 的 450 W GaN RF IMFET

一般參數(shù)

晶體管類型        HEMT

技術(shù)                  碳化硅上氮化鎵、氮化鎵

應(yīng)用行業(yè)           雷達(dá)、航空航天與國防、測試與測量

應(yīng)用                 軍隊(duì)

連續(xù)波/脈沖     脈沖，連續(xù)波

頻率                3.1 至 3.5 GHz

力量                56.53 分貝

功率(W)          449.78 瓦

飽和功率         56.6 分貝

脈沖寬度        100 我們

占空比            0.1

獲得               16.5分貝

電源電壓        28 至 55 伏

電壓 - 柵源 (Vgs)  -2.8 伏

漏極偏置電流   750毫安

靜態(tài)漏極電流   750毫安

阻抗 Z          50 歐姆

包裝類型      表面貼裝

RoHS          是的

相關(guān)型號

NLB-310                  RFPA1012             RF7234                 RF2815

RFDA0016               S518324-44Z        SGA8343Z            RF2312

RFDA2025               CGB-1089Z           RF3376                RF2173

RFDA0026               NBB-500              NBB-310               RF5355

SBA4086Z               CGA-1518Z          SXE1089Z              RF3378