MBC50-1.0B14電容器利用熱生長二氧化硅基上的氮化硅介質。合成的復合電介質具有低泄漏電流和插入損耗，具有良好的長期穩(wěn)定性。電容溫度系數(shù)通常為+55 ppm/oC。
產(chǎn)品規(guī)格
零件編號 MBC50-1.0B14
簡短描述 MNOS系列電容器
電容范圍MIN（pF） 0.80
最大電容范圍（pF） 1.20
類型 光束引線
最小偏差（V） 50
最小IR（nA） 1000
Tcc類型（ppm/攝氏度） 55
CT（pF） 1
特征
低泄漏電流
優(yōu)異的長期穩(wěn)定性
低插入損耗
應用
航空航天與國防
ISM
相關型號
MA4M1100 MBC50-20B12
MA4M3150 MBC50-2B12
MA4M1050 MBC50-33B13
MA4M3030 MBC50-3B12
MA4M3010 MBC50-47B13
MA4M3100 MBC50-4B12
MA4M3050 MBC50-68B13
MBC50-0.2B14 MBC50-6B12
MBC50-1.0B14 MBC50-82B13
MBC50-1.5B14 MBC50-8B12
MBC50-100B13 MC2B0.8020-020
MBC50-10B12 MC2B002020-020
MBC50-15B12 MC2B004020-020
MBC50-1B12 MC2B008020-020
MBC50-2.0B14 MC2B016020-020
