Sumitomo Electric Device Innovations 的 FHX45X 是一款射頻晶體管，頻率為 12 GHz，增益為 10 至 20 dB，噪聲系數為 0.55 至 0.65 dB，電源電壓為 2 V，漏極電流為 10 至 60 mA。標簽： 芯片。FHX45X 的更多細節(jié)可以在下面看到。
| 零件號 | FHX45X |
|---|---|
| 功能 | GaAs FET 和 HEMT 芯片 |
| 特征 |
|
| 描述 | FHX45X 是一款超高電子遷移率晶體管 (SuperHEMTTM)，適用于 2-18GHz 頻率范圍內的通用、超低噪聲和高增益放大器。該器件非常適合電信、DBS、TVRO、VSAT 或其他低噪聲應用。住友電工嚴格的質量保證計劃可確保最高的可靠性和始終如一的性能。 |
| 噪聲系數 NF Typ. （D b） | 0.55 |
|---|---|
| 相關增益氣體典型值。（D b） | 12 |
| 漏極電壓 VDS (V) | 2 |
| 漏極電流 lDS (mA) | 10 |
| 頻率 f (GHz) | 12 |
| 應用 | 低噪聲放大器 |
| 筆記 | Tc(op)=+25°C 常規(guī)芯片 |
產品規(guī)格
產品詳情
零件號
FHX45X
制造商
住友電工設備創(chuàng)新
描述
12 GHz、10 至 20 dB 增益 GaAs HEMT
一般參數
晶體管類型
HEMT
技術
砷化鎵
應用行業(yè)
衛(wèi)星通信
頻率
12GHz
獲得
10 到 20 分貝
噪聲系數
0.55 至 0.65 分貝
電源電壓
2伏
漏電流
10 至 60 毫安
熱阻
155 到 200 度 C/W
包裝類型
芯片
RoHS
是的
貯存溫度
-65 至 175 攝氏度
筆記
柵源擊穿電壓：-0.3 V
SGK5867-60A
SGK6472-30A
SGK5872-20A
SGK7785-30A
FHX76LP
FHX35X
FHX35LG
FHX45X
FHX35LP
FHX06X
FHX13LG
FLK107XV
FLK027XV
FHX06LG
FLX257XV
FHC40LG
FHX13X
FHX05LG
FHX04LG
FHX14X
FHX14LG
FLK057XV
FLK027XP
FHX04X
FLK017XP
FHX05X
FLK207XV
FHC30LG
FLK017WF
FLL200IB-1
FLC157XP
FLX107MH-12
FLK027WG
FSX017X
FLL120MK
FLL200IB-3
FLL300IL-2
FLC107WG
FSX027X
FLL200IB-2
FLC167WF
FLC057WG
FLL300IL-3
FLL300IL-1
