--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 工作頻率: 高達(dá) 5 GHz
- P3dB: 高達(dá) 10 W
- 電源電壓: 高達(dá) 50 V
- 技術(shù) GaN on SiC HEMT
--- 產(chǎn)品詳情 ---
描述
WSGPA01 是一款 GaN on SiC 分立通用放大器 (GPA),設(shè)計(jì)用于高達(dá) 5 GHz 的應(yīng)用。該器件在高達(dá) 50 V 的電源電壓下工作,可實(shí)現(xiàn) 10 W 的 P3dB。它采用 3 mm X 4 mm DFN 封裝。雖然它專為具有降低波峰因數(shù)和數(shù)字預(yù)失真 LTE 或 5G NR 信號(hào)的通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用而設(shè)計(jì);它可能適用于頻率高達(dá) 5 GHz 的其他應(yīng)用;僅受其最大工作條件的限制。

特征
GaN on SiC HEMT 技術(shù)
工作頻率:高達(dá) 5 GHz
P3dB:高達(dá) 10 W
電源電壓:高達(dá) 50 V
無(wú)鉛且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用
多標(biāo)準(zhǔn)蜂窩功率放大器
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