內(nèi)容介紹：
        哈嘍，朋友們，今天我要向大家介紹的是 SUMITOMO 的一款功率 GaAs FET——FLM7785-12F。 它的 1dB 增益壓縮點輸出功率 (P1dB) 典型值高達 41.5dBm，這意味著它能穩(wěn)定輸出超過 14 瓦 的射頻功率而不會顯著失真。同時，它還能提供 8.5dB 的 1dB 增益壓縮點增益 (G1dB)，像一位健壯的放大器，有效提升信號強度。更令人贊嘆的是它的效率，功率附加效率 (PAE) 典型值達到 34%，在輸出強大功率的同時，將相當一部分直流能量高效地轉化為了射頻能量，減少了能量的浪費和發(fā)熱。

主要特性：
高輸出功率：P1dB（1dB 增益壓縮點輸出功率）典型值 41.5dBm。
高增益：G1dB（1dB 增益壓縮點增益）典型值 8.5dB。
高功率附加效率（PAE）：ηadd 典型值 34%。
低三階交調(diào)失真（IM3）：在輸出功率 30.5dBm 時，IM3 典型值 -46dBc。
寬帶工作頻率：覆蓋 7.7 ~ 8.5GHz（C 波段）。
阻抗匹配：輸入/輸出阻抗（Zin/Zout）已內(nèi)部匹配至 50Ω。

應用領域：
點對點微波通信（PtP）
微波中繼通信
工業(yè)級無線通信
C波段雷達發(fā)射機
智能傳感器

相關型號：
FLM7785-12F
FLM7785-12F
FLM5964-12F
FLK057WG
FMM5822X
FHX45X
FHX35X
FMM5057VF
FLM4450-25F
FLK027WG
FLK027XV