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QPD1006:高功率50V GaN

型號: QPD1006:高功率50V GaN

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 工作溫度 85

--- 產(chǎn)品詳情 ---

QPD1006:高功率50V GaN RF IMFET的理想選擇
在現(xiàn)代無線通信和雷達系統(tǒng)中,功率放大器的性能直接影響到系統(tǒng)的效率和可靠性。QPD1006作為一款450 W、50 V的GaN(氮化鎵)RF IMFET(射頻絕緣柵場效應晶體管),專為1.2 - 1.4 GHz頻段設計,憑借其卓越的性能和高功率輸出,成為L波段雷達應用的理想選擇。

產(chǎn)品概述
QPD1006是一款高功率射頻晶體管,具備強大的輸出能力和優(yōu)良的熱管理性能。其設計旨在滿足高功率和高頻率的需求,使其在各種應用場景中表現(xiàn)出色。

主要特點:
高功率輸出:最大輸出功率可達450 W,適合要求高功率的應用場合。
工作電壓:50 V的設計使得QPD1006能夠在高電壓條件下穩(wěn)定工作,提升了系統(tǒng)的可靠性。
頻率范圍:優(yōu)化設計覆蓋1.2 - 1.4 GHz頻段,適應多種通信和雷達應用。
50 Ω I/O匹配:簡化了設計流程,減少了外部匹配電路的復雜性,提升了系統(tǒng)集成度。
單級設計:支持連續(xù)波(CW)和脈沖工作模式,提供靈活的應用選擇。
低熱阻:優(yōu)良的熱管理性能確保在高功率輸出下的穩(wěn)定性,延長設備使用壽命。
封裝尺寸:18.19 x 29.24 mm的AC封裝,適合空間受限的應用。
技術(shù)參數(shù)
輸出功率:450 W
工作電壓:50 V
頻率范圍:1.2 - 1.4 GHz
輸入輸出匹配:50 Ω
工作模式:CW和脈沖模式
熱阻:低熱阻設計
封裝類型:AC封裝,尺寸為18.19 x 29.24 mm
應用領域
QPD1006的設計使其在多個高功率應用領域中表現(xiàn)出色,尤其是在以下領域:

L波段雷達:為L波段雷達系統(tǒng)提供高功率和穩(wěn)定的信號輸出,確保雷達信號的準確性和可靠性。
通信基站:適用于高功率射頻放大器,支持無線通信的高效傳輸。
測試設備:在射頻測試和測量設備中,QPD1006能夠提供高功率信號,滿足測試需求。
工業(yè)應用:適合需要高功率射頻信號的工業(yè)應用,如加熱和材料處理。
結(jié)論
QPD1006是一款高性能的450 W、50 V GaN RF IMFET,憑借其卓越的功率輸出和頻率特性,能夠有效解決客戶在高功率射頻設計中的痛點。無論是在雷達系統(tǒng)還是通信基站中,QPD1006都能為工程師提供強有力的支持,幫助他們實現(xiàn)更高效、更可靠的產(chǎn)品設計。

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