CMPA801B025 是一種基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導(dǎo)率。與 Si 和 GaAs 晶體管相比，GaN HEMT 還提供更高的功率密度和更寬的帶寬。該 MMIC 包含兩級無功匹配放大器設(shè)計方法，可實現(xiàn)非常寬的帶寬。它可以在模具中使用；10 引腳金屬/陶瓷法蘭封裝 (CMPA801B025F) 或小尺寸藥丸封裝 (CMPA801B025P)，可實現(xiàn)最佳電氣和熱性能。
特征
28 dB 小信號增益
35 W 典型 PSAT
工作電壓高達 28 V
高擊穿電壓
高溫操作
應(yīng)用
點對點無線電
通訊
測試儀器
EMC 放大器
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