CAB425M12XM3是XM3 半橋電源模塊系列。1200 V 半橋電源模塊，專為碳化硅而設(shè)計，可實現(xiàn)高功率密度.憑借我們的首款汽車認證 1200 V、450 A、全碳化硅傳導(dǎo)優(yōu)化半橋 XM3 電源模塊繼續(xù)在碳化硅領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。在最苛刻的汽車應(yīng)用中實現(xiàn)高效率和高功率密度。XM3 功率模塊平臺，以最大限度地發(fā)揮碳化硅的優(yōu)勢，同時保持模塊和系統(tǒng)設(shè)計穩(wěn)健、簡單且具有成本效益。XM3 電源模塊的重量和體積只有標(biāo)準(zhǔn) 62 毫米模塊的一半，可最大限度地提高功率密度，同時最大限度地減少環(huán)路電感并實現(xiàn)簡單的電源總線。優(yōu)化的封裝可實現(xiàn) 175°C 的連續(xù)結(jié)操作，采用高可靠性氮化硅 (Si3N4) 電源基板，確保極端條件下的機械穩(wěn)健性。XM3 非常適合要求苛刻的應(yīng)用，例如牽引驅(qū)動、直流快速充電器、通用電源和汽車測試設(shè)備。
系統(tǒng)優(yōu)勢
? 端子布局允許直接母線連接，無需彎曲或套管，從而實現(xiàn)簡單、
低電感設(shè)計。
? 隔離式集成溫度傳感可實現(xiàn)高級溫度保護。
? 專用漏極開爾文引腳支持直接電壓感應(yīng)，用于柵極驅(qū)動器過流保護。
技術(shù)特點
? 高功率密度足跡
? 高結(jié)溫 (175 °C) 操作
? 低電感 (6.7 nH) 設(shè)計
? 實現(xiàn)第三代 SiC MOSFET
針對低開關(guān)損耗優(yōu)化的技術(shù)
? 氮化硅絕緣體和銅基板
應(yīng)用
? 電機和牽引驅(qū)動器
? 車載快速充電器
? 不間斷電源
? 智能電網(wǎng)/并網(wǎng)分布式發(fā)電
阻斷電壓:1200V
包裹：XM3
配置：半橋
電阻：3.2μJ
模塊尺寸：80 x 53 x 19 毫米
最高結(jié)溫：175°C
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