C6D08065G為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢(shì)肖特基勢(shì)壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿(mǎn)足比硅基解決方案更高的效率標(biāo)準(zhǔn)，同時(shí)還達(dá)到更高的頻率和功率密度。SiC二極管可輕松并聯(lián)以滿(mǎn)足各種應(yīng)用要求，而不用擔(dān)心熱失控。 結(jié)合降低冷卻要求并改善熱SiC產(chǎn)品的性能，SiC二極管能夠提供在各種不同的應(yīng)用中降低整體系統(tǒng)成本。
好處
? 電氣隔離封裝
? 基本上沒(méi)有開(kāi)關(guān)損耗
? 更高的效率
? 降低散熱器要求
? 沒(méi)有熱失控的并行器件
特征
? 低正向電壓（VF) 以正面下降
溫度系數(shù)
? 零反向恢復(fù)電流/正向
恢復(fù)電壓
? 與溫度無(wú)關(guān)的開(kāi)關(guān)行為
? 低電感的薄型封裝
應(yīng)用
? 企業(yè)電源、服務(wù)器和電信
電源
? 開(kāi)關(guān)模式電源
? 工業(yè)電源
? 提升功率因數(shù)校正
? 自舉二極管
? LLC 鉗位
重復(fù)峰值反向電壓:650V
直流阻斷電壓：650V
重復(fù)峰值正向浪涌：31-17A
功耗：92-40W
工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度:-55to+175?C
相關(guān)型號(hào)
C6D08065G C3D16065D1
E3D08065G C3D16065D
C3D08065E C6D16065D
C3D08065A C3D16065A
C6D08065E C3D20065D
C6D08065A C6D20065D
C3D08065I E3D20065D
C6D10065Q C3D30065D
C6D10065G E3D30065D
C3D10065E E4D02120E
C3D10065A C4D02120E
C6D10065E C4D02120A
C6D10065A C4D05120E
C3D10065I C4D05120A
C3D12065A C4D08120E
