C3M0350120D碳化硅MOSFET

晶體管碳化硅MOSFET

型號： C3M0350120D

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

漏源電壓 1200V
柵極-源極電壓動態(tài) -8/+19V
柵極-源極電壓靜態(tài) -4/+15V
脈沖漏極電流： 20A
功耗： 50W
工作結(jié)溫和存儲溫度 -55to+150?C
焊接溫度: 260?C

--- 產(chǎn)品詳情 ---

C3M0350120D為1200 V 分立碳化硅 MOSFETT。業(yè)內(nèi)最廣泛的 1200 V SiC MOSFET 產(chǎn)品組合。1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列經(jīng)過優(yōu)化，可用于 UPS 等大功率應用；電機控制和驅(qū)動；開關(guān)電源；太陽能和儲能系統(tǒng)；電動汽車充電；高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器；和更多?；诘谌夹g(shù)；各種各樣的導通電阻和封裝選項使設(shè)計人員能夠為他們的應用選擇正確的部件。將的 1200 V 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET 配對，為要求苛刻的應用創(chuàng)造了更高效率的強大組合。

優(yōu)點
? 更高的系統(tǒng)效率
? 降低冷卻要求
? 提高功率密度
? 提高系統(tǒng)開關(guān)頻率

特征
? C3MTM SiC MOSFET 技術(shù)
? 高阻斷電壓和低導通電阻
? 低電容的高速開關(guān)
? 具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管
? 無鹵素，符合 RoHS 標準

應用
? 再生能源
? 高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
? 開關(guān)模式電源
? UPS

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