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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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E3M0075120K碳化硅MOSFET

型號(hào): E3M0075120K

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 漏源電壓 1200V
  • 柵極 -源極電壓 -8/+19V
  • 脈沖漏極電流 80A
  • 功耗 145W
  • 工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度 -55to +175?C
  • 焊接溫度 260?C

--- 產(chǎn)品詳情 ---

E3M0075120K為E 系列分立碳化硅 MOSFET。業(yè)界首款汽車級(jí)碳化硅 MOSFET。通過(guò)推出 E 系列碳化硅 (SiC) MOSFET 擴(kuò)展了其在碳化硅領(lǐng)域的領(lǐng)先地位;業(yè)內(nèi)首個(gè)汽車認(rèn)證;業(yè)界提供具有 PPAP 功能且防潮的 MOSFET。它采用第三代堅(jiān)固技術(shù);提供業(yè)界最低的開(kāi)關(guān)損耗和最高的品質(zhì)因數(shù)。E 系列 MOSFET 針對(duì)用于 EV 電池充電器和高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器進(jìn)行了優(yōu)化,并在6.6kW 雙向車載充電器參考設(shè)計(jì)中采用。

E3M0075120K


優(yōu)點(diǎn)
? 降低開(kāi)關(guān)損耗并最大限度地減少柵極振鈴
? 更高的系統(tǒng)效率
? 降低冷卻要求
? 提高功率密度
? 提高系統(tǒng)開(kāi)關(guān)頻率


特征
? 第三代 SiC MOSFET 技術(shù)
? 具有獨(dú)立驅(qū)動(dòng)源引腳的優(yōu)化封裝
? 漏極和源極之間的爬電距離為 8mm
? 高阻斷電壓和低導(dǎo)通電阻
? 低電容的高速開(kāi)關(guān)
? 具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的快速本征二極管
? 無(wú)鹵素,符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
? 通過(guò)汽車認(rèn)證 (AEC-Q101) 和 PPAP 能力


應(yīng)用
? 電動(dòng)汽車電池充電器
? 高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器


相關(guān)型號(hào)
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