CG2H30070F高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Cree 晶體管

型號(hào)： CG2H30070F

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

應(yīng)用電路 0.5 – 3.0 GHz 應(yīng)用電路
功率 28 V 時(shí) POUT 典型值為 85 W
增益 10分貝功率增益
排水效率 58% 排水效率
匹配內(nèi)部匹配

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CG2H30070F 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有輸入匹配，可在 0.5-3.0 GHz 范圍內(nèi)提供最佳的瞬時(shí)寬帶性能。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導(dǎo)率。與 Si 和 GaAs 晶體管相比，GaN HEMT 還提供更高的功率密度和更寬的帶寬。該器件采用 2 引線金屬/陶瓷法蘭封裝，可實(shí)現(xiàn)最佳電氣和熱性能。

特征
0.5 – 3.0 GHz 應(yīng)用電路
28 V 時(shí) POUT 典型值為 85 W
10分貝功率增益
58% 排水效率
內(nèi)部匹配

應(yīng)用
寬帶放大器
電子反措施
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