Cree 的 CMPA0060002D 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子基于移動晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路（MMIC） 。 與硅相比，GaN 具有更優(yōu)越的性能或砷化鎵，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導率。GaN HEMT 還提供更高的功率密度和更寬的帶寬與 Si 和 GaAs 晶體管相比。 該 MMIC 采用分布式（行波）放大器設計方法，使極寬的帶寬可以在很小的空間內實現。
特征
17 dB 小信號增益
2 W 典型 PSAT 工作電壓高達 28 V
高擊穿電壓
高溫操作
尺寸 0.169 x 0.066 x 0.004 英寸
應用
超寬帶放大器
光纖驅動器
測試儀器
EMC 放大器驅動器
相關型號
CMPA0060002D
CMPA0527005F
CMPA0527005F-AMP1
CGHV1F006S-AMP3
CGHV1F006S-AMP1
CGHV1F006S
CGH40006S-AMP1
CGH40006P-AMP
CGH40006S
CGH40006P
CGHV1J006D-GP4
CGH60008D-GP4
CG2H40010F-AMP
CGH40010F-AMP
CG2H40010F
CGH40010F
CG2H40010P
CGH40010P
CGH55015F2-AMP
CGH55015P2
CGH55015F2
PTVA030121EA-V1
CMPA2735015S
CGHV27015S
CGH27015F-AMP
CGH27015P
CG2H80015D-GP4
CGH27015F
CGH60015D-GP4
CMPA2735015D
