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      芯長征科技

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      IGBT芯片主要用在哪兒

      如今全球的汽車已經(jīng)進(jìn)入到智能化時代，汽車對于芯片的需求劇烈增加，以往一個傳統(tǒng)汽車需要的芯片數(shù)量是在五....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-03 09:43 ?2183次閱讀
      IGBT芯片主要用在哪兒

      功率模塊銅線鍵合工藝參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)方案

      為了提高功率模塊銅線鍵合性能，采用6因素5水平的正交試驗(yàn)方法，結(jié)合BP（Back Propaga‐t....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-03 09:41 ?1954次閱讀
      功率模塊銅線鍵合工藝參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)方案

      6英寸β型氧化鎵單晶成功制備

      2023年12月，日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼（VB）法....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-29 09:51 ?2286次閱讀
      6英寸β型氧化鎵單晶成功制備

      功率器件與集成電路的區(qū)別

      在電子工程領(lǐng)域，功率器件和集成電路是兩個重要的分支，它們各自在特定的應(yīng)用場景中發(fā)揮著重要的作用。關(guān)于....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-29 09:36 ?2260次閱讀

      功率半導(dǎo)體器件知識科普

      功率半導(dǎo)體通過對電流與電壓進(jìn)行調(diào)控實(shí)現(xiàn)電能在系統(tǒng)中的形式轉(zhuǎn)換與傳輸分配，能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制，....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-27 09:47 ?1561次閱讀
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      碳化硅器件封裝技術(shù)解析

      碳化硅 （ SiC ）具有禁帶寬、臨界擊穿場強(qiáng)大、熱導(dǎo)率高、高壓、高溫、高頻等優(yōu)點(diǎn)。應(yīng)用于硅基器件的....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-27 09:41 ?4234次閱讀
      碳化硅器件封裝技術(shù)解析

      什么是宇宙射線？宇宙射線導(dǎo)致IGBT失效的機(jī)理

      眾所周知，IGBT失效是IGBT應(yīng)用中的難題。大功率IGBT作為系統(tǒng)中主電路部分的開關(guān)器件，失效后將....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-27 09:39 ?4348次閱讀
      什么是宇宙射線？宇宙射線導(dǎo)致IGBT失效的機(jī)理

      可性能翻倍的新型納米片晶體管

      IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點(diǎn)下表現(xiàn)出近乎兩倍的性能提升。這一成就預(yù)計(jì)將帶來多項(xiàng)技術(shù)進(jìn)步，并可能....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-26 10:12 ?1108次閱讀

      碳化硅離子注入和退火工藝介紹

      統(tǒng)的硅功率器件工藝中，高溫擴(kuò)散和離子注入是最主要的摻雜控制方法，兩者各有優(yōu)缺點(diǎn)。一般來說，高溫擴(kuò)散工....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-22 09:41 ?4961次閱讀
      碳化硅離子注入和退火工藝介紹

      SiC MOSFET中的交流應(yīng)力退化

      本文匯集了 SiC MOSFET 最新結(jié)果的特定方面，涉及由于應(yīng)用交流柵極偏置應(yīng)力（也稱為柵極開關(guān)應(yīng)....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-22 09:37 ?1888次閱讀
      SiC MOSFET中的交流應(yīng)力退化

      Chiplet，困難重重

      到目前為止，第三方chiplet的使用情況參差不齊。普遍的共識是，第三方芯粒市場將在某個時候蓬勃發(fā)展....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-20 16:23 ?1064次閱讀
      Chiplet，困難重重

      8英寸SiC晶體生長熱場的設(shè)計(jì)與優(yōu)化

      碳化硅（SiC）材料被認(rèn)為已經(jīng)徹底改變了電力電子行業(yè)。其寬帶隙、高溫穩(wěn)定性和高導(dǎo)熱性等特性將為SiC....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-20 13:46 ?3950次閱讀
      8英寸SiC晶體生長熱場的設(shè)計(jì)與優(yōu)化

      英特爾、三星和臺積電公布下一代晶體管進(jìn)展

      英特爾是三者中最早演示 CFET 的，早在 2020 年就在 IEDM 上推出了早期版本。這一次，英....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-19 11:15 ?1171次閱讀
      英特爾、三星和臺積電公布下一代晶體管進(jìn)展

      SiC相對于Si有哪些優(yōu)勢？

      更高的擊穿場允許器件在給定區(qū)域承受更高的電壓。這使得器件設(shè)計(jì)人員能夠在相同的芯片尺寸下增加用于電流流....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-19 09:41 ?1859次閱讀
      SiC相對于Si有哪些優(yōu)勢？

      MOSFET的并聯(lián)使用

      MOSFET的并聯(lián)使用
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-19 09:40 ?1856次閱讀
      MOSFET的并聯(lián)使用

      什么是IGBT？IGBT的工作原理

      IGBT：IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-18 09:40 ?10086次閱讀
      什么是IGBT？IGBT的工作原理

      碳化硅外延設(shè)備技術(shù)研究

      與傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料硅、鍺相比，第三代半導(dǎo)體材料碳化硅 (Silicon Carbide, SiC) 具....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-18 09:37 ?4229次閱讀
      碳化硅外延設(shè)備技術(shù)研究

      三種碳化硅外延生長爐的差異

      碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工，需要在其上經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-15 09:45 ?4897次閱讀
      三種碳化硅外延生長爐的差異

      SiC功率器件中的失效機(jī)制分析

      SiC 功率 MOSFET 和肖特基二極管正在快速應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體 (PECS) 應(yīng)用，例如....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-15 09:42 ?7219次閱讀
      SiC功率器件中的失效機(jī)制分析

      什么是IGCT？什么是IGBT？兩者有何區(qū)別與聯(lián)系

      IGCT（Integrated Gate-Commutated Thyristor），中文名稱：集成....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-14 09:48 ?33919次閱讀
      什么是IGCT？什么是IGBT？兩者有何區(qū)別與聯(lián)系

      Boost變換器中SiC與IGBT模塊熱損耗對比研究

      摘 要：針對Boost變換器中SiC(碳化硅)與IGBT模塊熱損耗問題，給出了Boost電路中功率模....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-14 09:37 ?3101次閱讀
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      功率芯片是什么？功率芯片有哪些？

      近年來，我國已成為全球發(fā)電量第一的大國。電能一直是人類消耗的最大能源，是目前最為重要的一種能源形式之....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-13 10:32 ?11671次閱讀
      功率芯片是什么？功率芯片有哪些？

      碳化硅在光伏領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢

      一是可以直接利用，特別是在偏遠(yuǎn)或者離網(wǎng)區(qū)域；二是它足夠多：據(jù)計(jì)算，海平面上，每平方米每天可產(chǎn)生1kW....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-13 09:52 ?1523次閱讀
      碳化硅在光伏領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢

      IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域和性能優(yōu)勢

      當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成，如電池、VCU、BSM、電機(jī)等，但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-11 17:17 ?6371次閱讀
      IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域和性能優(yōu)勢

      芯片設(shè)計(jì)的核心技術(shù)與關(guān)鍵優(yōu)勢概述

      應(yīng)對網(wǎng)絡(luò)威脅正在成為芯片和系統(tǒng)設(shè)計(jì)的一個組成部分，并且更加昂貴和復(fù)雜。
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-11 10:03 ?1577次閱讀
      芯片設(shè)計(jì)的核心技術(shù)與關(guān)鍵優(yōu)勢概述

      FPGA產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析

      現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) 是提供適應(yīng)性強(qiáng)且可更改的硬件功能的半導(dǎo)體。它們包含各種可變邏輯單元和....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-06 14:39 ?2690次閱讀
      FPGA產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析

      凸點(diǎn)鍵合技術(shù)的主要特征

      自從IBM于20世紀(jì)60年代開發(fā)出可控塌陷芯片連接（Controlled Collapse Chip....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-05 09:40 ?3013次閱讀
      凸點(diǎn)鍵合技術(shù)的主要特征

      提高3D NAND閃存存儲密度的四項(xiàng)基本技術(shù)

      增加3D（三維）NAND閃存密度的方法正在發(fā)生變化。這是因?yàn)橹С謧鹘y(tǒng)高密度技術(shù)的基本技術(shù)預(yù)計(jì)將在不久....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-30 10:20 ?1663次閱讀
      提高3D NAND閃存存儲密度的四項(xiàng)基本技術(shù)

      光器件的最新研究和發(fā)展趨勢

      此次，我們將報道旨在實(shí)現(xiàn)光互連的光器件的最新研究和發(fā)展趨勢。
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-29 09:41 ?1794次閱讀
      光器件的最新研究和發(fā)展趨勢

      車規(guī)級半導(dǎo)體/元器件認(rèn)證

      因?yàn)槠囯妱踊?、智能化和網(wǎng)聯(lián)化的來襲，全球性的汽車芯片缺貨，以及國內(nèi)汽車芯片產(chǎn)業(yè)的興起。汽車芯片產(chǎn)業(yè)....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-28 09:59 ?1594次閱讀