動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-08-19 15:23

  Flash閃存-RSUN2M：高性能微型 SPI 閃存，開(kāi)啟智能存儲(chǔ)新體驗(yàn)

  

  在萬(wàn)物互聯(lián)與智能終端飛速發(fā)展的時(shí)代，存儲(chǔ)器件的性能、可靠性與小型化成為設(shè)備創(chuàng)新的關(guān)鍵支撐。RSUNTECH重磅推出的RSUN2M串行閃存存儲(chǔ)器，以卓越性能、極致設(shè)計(jì)與全面保障，為各類(lèi)智能設(shè)備注入高效存儲(chǔ)動(dòng)力。極致微型封裝，釋放設(shè)計(jì)潛能RSUN2M采用先進(jìn)的USON6封裝，尺寸僅為1×0.72×0.45mm，在極小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)強(qiáng)大存儲(chǔ)功能。精準(zhǔn)的尺寸控制（A值

  FlaSh SPI 閃存

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• 發(fā)布了文章 2025-08-19 14:37

  肖特基的應(yīng)用

  

  在電子設(shè)備向高密度、低功耗演進(jìn)的背景下，RSUN521ZS肖特基二極管憑借其突破性的微型封裝與卓越性能，成為新能源、智能制造及物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的關(guān)鍵元件。該器件采用WLP封裝，在方寸之間實(shí)現(xiàn)了30V反向耐壓、0.35V低正向壓降及1A浪涌電流承載能力，為高頻、低壓場(chǎng)景提供了高效可靠的解決方案。核心技術(shù)突破：小體積與高性能的協(xié)同進(jìn)化RSUN521ZS通過(guò)優(yōu)化外延工藝

  浪涌電流 電子設(shè)備 肖特基二極管

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-07-02 16:22

  肖特基二極管

  

  產(chǎn)品型號(hào)：RSUN521系列 封裝類(lèi)型：DFN1006-2L 封裝類(lèi)型：DFN0603-2L

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-07-02 14:23

  ESD二極管

  

  產(chǎn)品型號(hào)：ESD 封裝類(lèi)型：DFN1006

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-06-26 15:21

  陶瓷氣體放電管

  

  產(chǎn)品型號(hào)：4.5*3.2*2.7 規(guī)格：4.5*3.2*2.7

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-06-26 14:23

  MOSFET-SOT23

  

  產(chǎn)品型號(hào)：RSUN3134 封裝類(lèi)型：SOT-723

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-06-24 08:49

  穩(wěn)壓二極管（DFN0603-2L）

  

  產(chǎn)品型號(hào)：RSUN2C12V 擊穿電壓：15V~18V 漏電流：≤0.2uA 封裝類(lèi)型：DFN0603-2L

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-06-23 09:05

  LDO-1.8V

  

  產(chǎn)品型號(hào)：RSUNR18 封裝類(lèi)型：DFN1.0X1.0X0.45-4L 運(yùn)行電壓：1.8V

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-06-20 11:21

  RSUNR2M

  

  產(chǎn)品型號(hào)：RSUNR2M 封裝類(lèi)型：USON6R2M 工作電壓：1.65v-3.6v 存儲(chǔ)容量：2MB

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