動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-05-07 11:40

  MDDTVS與壓敏電阻的對(duì)比分析：哪種才是你的防護(hù)首選？

  

  在電子系統(tǒng)防護(hù)設(shè)計(jì)中，應(yīng)對(duì)浪涌電壓、瞬態(tài)干擾及靜電放電（ESD）是關(guān)鍵任務(wù)。MDDTVS（瞬態(tài)電壓抑制）二極管和壓敏電阻（MOV）是兩種常用的過壓保護(hù)器件，它們?cè)诠ぷ髟?、響?yīng)時(shí)間、使用壽命、適用場(chǎng)景等方面各具特點(diǎn)。正確理解這兩者的差異，有助于工程師做出最優(yōu)的器件選擇，確保系統(tǒng)的穩(wěn)定與可靠。一、工作原理對(duì)比TVS二極管是基于PN結(jié)雪崩擊穿效應(yīng)制造的，其核心特

  MDD TVS二極管 壓敏電阻

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• 發(fā)布了文章 2025-05-06 14:28

  高速接口如何選用低電容MDDTVS管？信號(hào)完整性與防護(hù)性的雙重考量

  

  在當(dāng)今高速數(shù)字通信系統(tǒng)中，如USB3.x/4、HDMI2.1、Thunderbolt、PCIe5.0/6.0、10G以太網(wǎng)等，高達(dá)數(shù)Gbps甚至Tbps的數(shù)據(jù)傳輸速率對(duì)信號(hào)完整性提出了極高要求。與此同時(shí)，這些高速接口暴露在外部環(huán)境中，也面臨著靜電放電（ESD）等瞬態(tài)干擾的威脅。為了兼顧信號(hào)完整性與防護(hù)效果，低電容TVS（瞬態(tài)電壓抑制）管成為高速接口ESD防護(hù)

  MDD TVS二極管 高速接口

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• 發(fā)布了文章 2025-04-29 10:06

  從選型到布局：MDDTVS二極管在ESD防護(hù)中的工程實(shí)戰(zhàn)指南

  

  在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中，ESD（靜電放電）防護(hù)已成為系統(tǒng)可靠性設(shè)計(jì)不可或缺的一環(huán)。作為一名FAE，我們?cè)趯?shí)際應(yīng)用中發(fā)現(xiàn)，許多電子故障并不是源自設(shè)計(jì)原理錯(cuò)誤，而是由于ESD防護(hù)不到位導(dǎo)致的隱患。MDDTVS（瞬態(tài)電壓抑制）二極管作為最常用的ESD防護(hù)元件，從選型到布局，每一個(gè)細(xì)節(jié)都直接影響系統(tǒng)的抗干擾能力。一、TVS二極管選型要點(diǎn)工作電壓匹配首先，需要根據(jù)保護(hù)電路的

  esd防護(hù) MDD TVS二極管

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• 發(fā)布了文章 2025-04-28 13:37

  MDDTVS管失效模式大起底：熱擊穿、漏電流升高與反向擊穿問題解析

  

  在電子設(shè)計(jì)中，MDD-TVS管是保護(hù)電路免受瞬態(tài)電壓沖擊的重要器件。然而，TVS管本身在惡劣環(huán)境或選型、應(yīng)用不當(dāng)時(shí)，也可能出現(xiàn)失效問題。作為FAE，本文將系統(tǒng)梳理TVS管常見的三大失效模式——熱擊穿、漏電流升高與反向擊穿，幫助大家深入理解失效機(jī)理，提升電路防護(hù)的可靠性。一、熱擊穿：過載能量導(dǎo)致的不可逆損傷熱擊穿是TVS管最常見、也最致命的失效方式之一。它通常

  TVS管 二極管 漏電流

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• 發(fā)布了文章 2025-04-27 17:44

  關(guān)于MDD-TVS二極管工作原理全解析：如何在瞬間保護(hù)你的電路？

  

  在電子系統(tǒng)中，瞬態(tài)電壓沖擊（如ESD、雷擊、浪涌等）是導(dǎo)致電路損壞的常見原因之一。為了有效防護(hù)，MDD-TVS二極管成為工程師們的重要選擇。一、TVS二極管的基本原理TVS二極管是一種專門設(shè)計(jì)用于保護(hù)電子器件免受瞬態(tài)高能量沖擊的半導(dǎo)體器件。它通常在正常工作電壓下呈高阻抗?fàn)顟B(tài)，不影響電路的正常運(yùn)行。而當(dāng)輸入端遭遇瞬態(tài)過電壓時(shí)，TVS管能在極短的時(shí)間內(nèi)（納秒級(jí)響

  MDD TVS 二極管

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• 發(fā)布了文章 2025-04-25 09:43

  如何布線才能降低MDDESD風(fēng)險(xiǎn)？PCB布局的抗干擾設(shè)計(jì)技巧

  

  在現(xiàn)代電子產(chǎn)品日益集成化、小型化的趨勢(shì)下，MDDESD（靜電二極管）防護(hù)設(shè)計(jì)變得至關(guān)重要。除了元器件選型，PCB的布線與布局也是影響ESD抗擾性能的關(guān)鍵因素。作為FAE，本文將結(jié)合實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)，分享一些降低ESD風(fēng)險(xiǎn)的PCB布線與布局技巧。一、ESD路徑最短優(yōu)先原則ESD是一種高頻、瞬態(tài)干擾，它往往會(huì)選擇阻抗最小的路徑泄放。因此，在布線時(shí)，必須確保ESD電流能快

  ESD PCB布局 抗干擾設(shè)計(jì)

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• 發(fā)布了文章 2025-04-24 09:51

  ESD防護(hù)設(shè)計(jì)中的10個(gè)常見誤區(qū)，你中招了嗎？

  

  在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中，ESD（靜電放電）防護(hù)已成為設(shè)計(jì)中不可忽視的一環(huán)。然而，即便是經(jīng)驗(yàn)豐富的工程師，也常會(huì)在ESD設(shè)計(jì)中掉進(jìn)一些看似“理所當(dāng)然”的誤區(qū)。以下總結(jié)了10個(gè)在實(shí)際設(shè)計(jì)中最常見的陷阱，看看你是否也中招了？1.只在輸入口加ESD元件，忽略其他暴露節(jié)點(diǎn)很多人只在USB、HDMI等外部接口加ESD防護(hù)，卻忽略了調(diào)試口、天線、鍵盤矩陣等接口，留下隱患。2.選

  ESD 電壓 靜電放電

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• 發(fā)布了文章 2025-04-23 10:25

  如何選擇合適的MDDESD保護(hù)二極管？關(guān)鍵參數(shù)與選型技巧解析

  

  在電子設(shè)備日益小型化和高集成化的今天，靜電放電（ESD）已成為導(dǎo)致器件失效的主要威脅之一。某智能手表項(xiàng)目因ESD防護(hù)不足，導(dǎo)致30%的產(chǎn)品在用戶佩戴初期出現(xiàn)觸控失靈，直接損失超百萬元。一、ESD保護(hù)二極管的四大核心參數(shù)鉗位電壓（VCL）定義：器件在ESD沖擊下限制的最高電壓。選型規(guī)則：VCL必須低于被保護(hù)器件的最大耐受電壓（如USB接口選VCL1pF會(huì)導(dǎo)致高

  ESD 二極管 靜電放電

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• 發(fā)布了文章 2025-04-22 09:33

  移動(dòng)設(shè)備中的MDDESD防護(hù)挑戰(zhàn)：微型化封裝下的可靠性保障

  

  隨著智能手機(jī)、平板電腦、可穿戴設(shè)備等移動(dòng)終端的發(fā)展，整機(jī)集成度不斷提升，芯片封裝和電路板設(shè)計(jì)愈發(fā)微型化。在追求輕薄與性能的同時(shí)，電子元件在靜電放電（MDDESD）沖擊下的可靠性面臨前所未有的挑戰(zhàn)。如何在有限空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)有效的ESD防護(hù)，已成為FAE（現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師）在設(shè)計(jì)階段必須重點(diǎn)考慮的問題。一、微型化趨勢(shì)帶來的挑戰(zhàn)在移動(dòng)設(shè)備中，主控芯片、觸控IC、射頻模塊

  ESD 二極管 移動(dòng)設(shè)備

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• 發(fā)布了文章 2025-04-21 10:01

  MDDESD靜電放電對(duì)電子元器件的影響：從損壞機(jī)制到防護(hù)策略

  

  MDD靜電放電（ElectrostaticDischarge,ESD）是電子系統(tǒng)中極為常見又極易被忽視的威脅之一。特別是在半導(dǎo)體分立器件和IC封裝日趨微型化、敏感度逐步提升的今天，MDDESD成為導(dǎo)致電子元件失效、系統(tǒng)異常甚至整機(jī)故障的“隱形殺手”。一、ESD的產(chǎn)生與危害ESD通常來源于人體活動(dòng)、設(shè)備接觸、帶電物體靠近等場(chǎng)景。當(dāng)兩個(gè)不同電位的物體接觸或靠近時(shí)

  ESD ESD靜電二極管 電子元器件

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