反相器是可以將輸入信號的相位反轉(zhuǎn)180度，這種電路應(yīng)用在模擬電路，比如說音頻放大，時鐘振蕩器等。在電子線路設(shè)計中，經(jīng)常要用到反相器。

隨著微電子技術(shù)與工藝的不斷發(fā)展和創(chuàng)新，以計算機為代表的各類數(shù)字電子產(chǎn)品應(yīng)用越來越廣泛，與此同時也面臨著更加復(fù)雜的電磁環(huán)境。CMOS 反相器是幾乎所有數(shù)字集成電路設(shè)計的核心，它具有較大的噪聲容限、極高的輸入電阻、極低的靜態(tài)功耗以及對噪聲和干擾不敏感等優(yōu)點，因此廣泛應(yīng)用于數(shù)字集成電路中。

HPM可以通過縫隙、孔洞以及外露連接線纜等“后門”途徑，耦合進入電子系統(tǒng)內(nèi)部，影響系統(tǒng)內(nèi)器件的正常工作，CMOS 反相器作為構(gòu)成數(shù)字集成電路最基礎(chǔ)的功能單元和數(shù)字電子系統(tǒng)中最為典型的器件，極易受 HPM“后門”耦合作用的影響，進而產(chǎn)生干擾、擾亂或直接損傷效應(yīng)。

另外，CMOS 反相器有明確的邏輯功能，HPM 或者其它類型的強電磁脈沖對其產(chǎn)生的擾亂效應(yīng)相比于對其它器件來講更加明顯。因此，研究數(shù)字集成電路或者數(shù)字電子系統(tǒng)的 HPM 效應(yīng)，可以從 CMOS 反相器的HPM 效應(yīng)研究入手。

已有研究指出 HPM 可以引起 CMOS 反相器的閂鎖（latch-up）效應(yīng)，進而導(dǎo)致擾亂效應(yīng)，Kim等人對CMOS反相器的HPM效應(yīng)進行了大量的實驗研究，得到了一些重要結(jié)論，比如，當(dāng)HPM頻率較高時其引發(fā)的CMOS反相器擾亂效應(yīng)將會被抑制等， CMOS 反相器在 HPM 作用下會發(fā)生門鎖效應(yīng)并導(dǎo)致功能擾亂，但是一段時間后其功能可能會恢復(fù)正常，HPM引起CMOS反相器閂鎖效應(yīng)的能量閾值特性。

這些報道多數(shù)都是HPM效應(yīng)實驗的結(jié)果描述和規(guī)律統(tǒng)計，而針對具體效應(yīng)與規(guī)律進行機理分析和微觀解釋的研究則相對較少。

反相器就是將輸入信號相位取反，一般還有提升帶負載能力的作用。反相器把高電平變?yōu)榈碗娖?，或把低電平變?yōu)楦唠娖?，輸出的是TTL電平。