亚洲精品久久久久久久久久久,亚洲国产精品一区二区制服,亚洲精品午夜精品,国产成人精品综合在线观看,最近2019中文字幕一页二页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

三星開始首批量產12GB移動DRAM 實現有史以來最大容量

jf_1689824270.4192 ? 來源:電子發(fā)燒友網 ? 作者:jf_1689824270.4192 ? 2019-03-15 14:55 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

3月14日消息,三星電子宣布將批量生產全球容量最大的12GB LPDDR4X(低功耗雙倍數據速率4X)移動DRAM。

該產品主要針對高階智能手機內存市場應用,包括Galaxy Fold。

LPDDR4X是適用于智能手機和平板電腦等移動設備的低功耗DRAM存儲器。隨著處理速度和容量的增長,移動DRAM有助于移動設備的應用處理器更快地運行和支持更多任務。MDDR和LPDDR2,LPDDR3,LPDDR4和LPDDR4X。數字越大,數據處理速度越快。

12GB LPDDR4X移動DRAM搭載六顆第二代10納米(1y)16千兆位(Gb)芯片。與現有的8GB移動DRAM相比,它的容量增加了1.5倍,實現了有史以來的最大容量。它比典型超薄筆記本電腦上的8GB DRAM模塊大。

12GB LPDDR4X移動DRAM有望進入下個月由三星電子發(fā)布的三星Galaxy Fold和Galaxy S10 5G的旗艦型號。

三星電子表示,即使是超高分辨率可折疊智能手機,12GB LPDDR4X移動DRAM可以更加順暢地用于各種應用。

在移動通信領域,智能手機愈加趨向于多攝和多顯示器,人工智能(AI)處理器及5G通信服務。這種高端的智能手機搭載高容量DRAM可以顯著提高系統(tǒng)性能。

三星電子表示,它們可以將移動DRAM產品實現12GB的高容量封裝,以提高功耗效率并增加電池安裝面積。

12GB LPDDR4X移動d-RAM讀寫數率最高達到34.1G/s,嵌入在移動設備中產品封裝厚度僅1.1mm。

“我們是第一家通過批量生產12GB移動DRAM來提供業(yè)界下一代旗艦智能手機所需的所有內存陣容?!比请娮觾却媸聵I(yè)部營銷副總裁表示,將繼續(xù)加強其在高端移動市場的地位。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 智能手機
    +關注

    關注

    66

    文章

    18667

    瀏覽量

    185453
  • DRAM
    +關注

    關注

    40

    文章

    2365

    瀏覽量

    187652
  • 三星電子
    +關注

    關注

    34

    文章

    15891

    瀏覽量

    182808
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    三星 HBM4 通過英偉達認證,量產在即

    開始實現大規(guī)模生產。這一進展將使得三星參與到下一階段HBM訂單的有力競爭。 ? 三星還在HBM3E上提供了非常具有吸引力的報價,傳聞向英偉達提供比SK海力士低20%至30%的報價,
    的頭像 發(fā)表于 08-23 00:28 ?6708次閱讀

    回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組

    深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線,收購適用于三星S21指紋模組?;厥?b class='flag-5'>三星指紋排線,收購三星指紋排線,全國高價回收三星指紋排線,專業(yè)求購指紋
    發(fā)表于 05-19 10:05

    三星在4nm邏輯芯片上實現40%以上的測試良率

    似乎遇到了一些問題 。 另一家韓媒《DealSite》當地時間17日報道稱,自 1z nm 時期開始出現的電容漏電問題正對三星 1c nm DRAM 的開發(fā)量產造成明顯影響。
    發(fā)表于 04-18 10:52

    千億美元打水漂,傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝

    次公開了?SF1.4(1.4nm?級別)工藝,原預計?2027?年實現量產。按照三星當時的說法,SF1.4?將納米片的數量從?3?個增加到?4?個,有望顯著改善芯片在性能和功耗方面的表現。? ? 三星
    的頭像 發(fā)表于 03-23 11:17 ?1649次閱讀

    三星量產第四代4nm芯片

    據外媒曝料稱三星量產第四代4nm芯片。報道中稱三星自從2021年首次量產4nm芯片以來,每年都在改進技術。
    的頭像 發(fā)表于 03-12 16:07 ?1.3w次閱讀

    三星電容的耐壓與容量,如何滿足不同電路需求?

    三星電容的耐壓與容量是滿足不同電路需求的關鍵因素。以下是對三星電容耐壓與容量的詳細分析,以及如何根據電路需求進行選擇的方法: 一、三星電容的
    的頭像 發(fā)表于 03-03 15:12 ?838次閱讀
    <b class='flag-5'>三星</b>電容的耐壓與<b class='flag-5'>容量</b>,如何滿足不同電路需求?

    三星調整1cnm DRAM設計,力保HBM4量產

    據韓國媒體報道,三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn),為確保HBM4內存的順利量產,公司決定對設計進行重大調整。
    的頭像 發(fā)表于 02-13 16:42 ?1111次閱讀

    三星Galaxy S25系列國行價格揭曉

    在萬眾矚目的三星Galaxy S25系列手機發(fā)布會上,消費者們終于迎來了國行價格的正式公布。此次發(fā)布的Galaxy S25系列手機涵蓋了Galaxy S25、Galaxy S25+以及旗艦級
    的頭像 發(fā)表于 02-12 11:23 ?1069次閱讀

    三星電子否認1b DRAM重新設計報道

    DRAM內存產品面臨的良率和性能雙重挑戰(zhàn),已決定在2024年底對現有的1b nm工藝進行改進,并從頭開始設計新版1b nm DRAM。然而,三星
    的頭像 發(fā)表于 01-23 15:05 ?794次閱讀

    三星否認重新設計1b DRAM

    據DigiTimes報道,三星電子對重新設計其第五代10nm級DRAM(1b DRAM)的報道予以否認。 此前,ETNews曾有報道稱,三星電子內部為解決
    的頭像 發(fā)表于 01-23 10:04 ?1213次閱讀

    三星電子1c nm內存開發(fā)良率里程碑推遲

    據韓媒報道,三星電子已將其1c nm DRAM內存開發(fā)的良率里程碑時間推遲了半年。原本,三星計劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率提升至70%,以達到結束開發(fā)工作、順利進入
    的頭像 發(fā)表于 01-22 15:54 ?853次閱讀

    三星1c nm DRAM開發(fā)良率里程碑延期

    (High Bandwidth Memory 4)內存規(guī)劃方面產生影響。 原本,三星電子計劃在2024年12月前將1c nm制程DRAM的良率提升至70%,這是結束開發(fā)工作并進入量產
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:27 ?938次閱讀

    三星重啟1b nm DRAM設計,應對良率與性能挑戰(zhàn)

    近日,據韓媒最新報道,三星電子在面對其12nm級DRAM內存產品的良率和性能雙重困境時,已于2024年底作出了重要決策。為了改善現狀,三星決定在優(yōu)化
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:04 ?1239次閱讀

    半導體復蘇!三星發(fā)放巨額獎金

    。去年,三星內存業(yè)務部門虧損高達504.1億元人民幣,而預計今年將實現約1008.2 億元人民幣的盈余,實現了驚人的逆轉。這一卓越表現也促成了 DS 部門有史以來最高的 TAI 金額,
    的頭像 發(fā)表于 12-24 16:32 ?565次閱讀

    三星“淡化”小折疊手機市場?Z Flip7量產計劃僅300萬臺

    近日,消息源Jukanlosreve在社交平臺發(fā)文曝料了三星2025年的手機量產計劃。據其透露,三星對Galaxy S25系列和Galaxy Z Flip7的量產計劃存在顯著差異,引發(fā)
    的頭像 發(fā)表于 12-20 14:52 ?1714次閱讀