SiC功率器件制造商正準備迎接電動汽車（EV）對下一代汽車的挑戰(zhàn)，這些汽車將需要更多的電子元件和系統(tǒng)的性能。但是，在新的解決方案能夠完全滿足挑戰(zhàn)之前，有必要解決超出WBG半導體自身能力的幾個問題：

SiC功率器件制造商正準備迎接電動汽車（EV）對下一代汽車的挑戰(zhàn)，這些汽車將需要電子元件和系統(tǒng)提供更高的性能。但是，在新的解決方案能夠完全滿足挑戰(zhàn)之前，有必要解決超出SiC半導體自身能力的幾個問題：

該行業(yè)能否以合適的價格水平生產(chǎn)足夠數(shù)量的電動汽車？

功率半導體能否滿足汽車可靠性標準的要求？汽車電子委員會（AEC）是一個促進汽車電子元件可靠性標準化或資格標準化的行業(yè)組織，由美國主要的汽車制造商和主要的電子元件制造商組成。廣泛采用AEC QXXX標準作為汽車電子元件的標準。電子元件，實際上是行業(yè)標準。制定標準以確認產(chǎn)品的高可靠性，包括耐高溫/高濕性、抗熱震性和耐久性。根據(jù)組件類別，這些標準分為以下幾類：

AEC-Q100：集成電路（ICS）

AEC-Q101：半導體分立元件（晶體管、二極管等）

AEC-Q200：無源元件（電容器、電感器等）

類似的性能SIC功率決定是否可以從多個來源獲得，這是汽車工業(yè)所希望的？

SiC功率半導體的快速開關速度會導致內(nèi)部或外部EMI嗎？

熱管理技術是否可用于支持牽引電機在400至600 V之間運行的大功率SiC功率決定？

有沒有一種方法可以為SiC電源電路，特別是電動汽車駕駛員提供內(nèi)置自檢？

哪些封裝技術可用于確保高壓高速功率半導體與車輛中的計算機和邏輯電路隔離？包裝會影響EMI和熱因素。

除了Cree，是否還有其他來源的SiC晶圓？

直流-直流變換器中可能會用到一些較低電壓的SiC功率決定，這可能需要與功率場效應晶體管不同的設計技術。

為了使SiC功率決定功率半導體自身提供所需的性能，以及電動汽車的其他電子產(chǎn)品，SiC功率決定制造商必須從電子系統(tǒng)設計開始就參與其中。這在自動駕駛汽車中非常重要，因為在自動駕駛汽車中，計算機邏輯、傳感器和電源電路之間可能存在交互作用。至少在車輛生產(chǎn)的最初幾年，這是必要的。

批量生產(chǎn)的汽車所面臨的挑戰(zhàn)與處理一兩個原型不同。有一個很明顯的學習曲線。本周在亞太經(jīng)合組織2018年展出的新技術只是一個開始。除了戰(zhàn)略執(zhí)行委員會的權力決定，還有很多工作要做。這必須是一個包含所有組件和電路的系統(tǒng)設計

亞太經(jīng)合組織2018年在德克薩斯州圣安東尼奧召開的會議上看到的注意事項：

STMicroelectronics展示了其用于電動汽車快速充電的先進碳化硅功率MOSFET解決方案系列。其優(yōu)點包括：高工作溫度（Tj=200°C）；低電容，以及一個快速而堅固的內(nèi)體二極管。

STMicroelectronics介紹了利用寬帶隙材料的先進創(chuàng)新特性生產(chǎn)的SiC功率MOSFET。

氮化鎵系統(tǒng)揭示了它所說的最高電流功率晶體管。被稱為GS-065-120-1-D的120-A、650-V氮化鎵（GaN）e-Hemt使功率轉換系統(tǒng)的功率密度從20千瓦增加到500千瓦。該晶體管作為一個模具出售，可用于半橋、全橋和六組模塊拓撲結構。

氮化鎵系統(tǒng)公布了其120-A，650-V，氮化鎵e-hemt，可在功率轉換系統(tǒng)中實現(xiàn)，以增加密度。

Rohm采用了電動汽車/電動汽車的納米脈沖控制技術。Rohm說，它提供了業(yè)界最高的降壓比（24:1），其準時性（脈沖寬度）僅比傳統(tǒng)產(chǎn)品低9 ns-10倍。這樣就可以將高達60 V的高電壓轉換為3.3 V或5 V，這對于采用單芯片設計的車輛系統(tǒng)來說是非常簡單的。

針對電動汽車/混合動力汽車，Rohm的新型直流-直流轉換器集成了MOSFET，據(jù)稱具有行業(yè)最低的電流消耗。

Microsemi公司在今年早些時候宣布的下一代1200伏SiC MOSFET中展示了第一款產(chǎn)品，即40兆瓦的MSC040SMA120B。新的SiC MOSFET產(chǎn)品系列具有很高的雪崩額定值，具有汽車電源應用的堅固性，并提供高短路耐受額定值，以實現(xiàn)穩(wěn)健運行。

德州儀器宣布了兩個新的高速氮化鎵場效應晶體管（FET）驅動器的速度關鍵應用，如激光雷達和5G射頻包絡跟蹤。60兆赫的LMG1020低端氮化鎵驅動器和50兆赫的LMG1210半橋驅動器提供高達50兆赫的開關頻率。前者為工業(yè)激光雷達提供高精度激光，后者為高達200伏的氮化鎵場效應晶體管設計。

德州儀器的兩個新的高速氮化鎵場效應晶體管（FET）驅動器，LMG1020和LMG1210是針對激光雷達和5G信封跟蹤等應用。

高效能轉換公司（EPC）展示了一系列基于其Egan FET技術的自主車輛的3D實時激光雷達成像設備。該技術的快速切換（比傳統(tǒng)技術高達10倍）使激光雷達系統(tǒng)具有更高的分辨率和更快的響應時間。

EPC宣布了EPC2112和EPC2115，增強型單片氮化鎵功率晶體管與集成驅動產(chǎn)品。

Coilcraft推出了其LPD8035V系列的小型、高壓1:1耦合電感。該技術提供1500 Vrms，繞組與7.92-×6.4-×3.5-mm封裝之間的一分鐘隔離（HIPOT），與傳統(tǒng)的線軸繞組替代方案相比，具有顯著的尺寸和成本降低。電感器符合AEC-Q200 3級標準（-40至85°C環(huán)境溫度），適用于汽車和其他高溫應用。

線圈工藝介紹了其LPD8035V系列小型、高壓1:1耦合

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